Sitemap

Semicorex 8 дюймдік SiC эпитаксиалды пластинаны жариялайды | 3C-SiC вафли өндірісін бастаңыз | Консольдық қалақшалар дегеніміз не? | SiC қапталған графитті сезгіштер дегеніміз не? | C/C композиті дегеніміз не? | 850 В жоғары қуатты GaN HEMT эпитаксиалды өнімдері шығарылды | Изостатикалық графит дегеніміз не? | PVT әдісімен жоғары сапалы SiC кристалының өсуіне арналған кеуекті графит | Графиттік қайықтың негізгі технологиясын енгізу | Графиттеу дегеніміз не? | Галий оксидімен (Ga2O3) таныстыру | Галлий оксиді пластинаның қолданылуы | Галий нитриді (GaN) қолданбаларының артықшылықтары мен кемшіліктері | Кремний карбиді (SiC) дегеніміз не? | Кремний карбиді субстрат өндірісінің қиындықтары қандай? | SiC қапталған графит сенсоры дегеніміз не? | Жылу өрісінің оқшаулағыш материалы | Алғашқы 6 дюймдік галлий оксиді субстратты индустрияландыру компаниясы | Кеуекті графит материалдарының SiC кристалының өсуі үшін маңызы | Жартылай өткізгіштер өндірісіндегі кремний эпитаксиалды қабаттары мен субстраттары | CVD операцияларындағы плазмалық процестер | SiC кристалының өсуіне арналған кеуекті графит | SiC қайығы дегеніміз не және оның әртүрлі өндірістік процестері қандай? | TaC қапталған графит компоненттерін қолдану және дамыту мәселелері | Кремний карбиді (SiC) кристалды өсіретін пеш | Кремний карбидінің қысқаша тарихы және кремний карбиді жабындарының қолданылуы | Оптикалық талшықтар өнеркәсібіндегі кремний карбидті керамиканың артықшылықтары | SiC өсуіне арналған негізгі материал: тантал карбиді жабыны | Құрғақ оюдың және дымқыл оюдың жақсы және жаман жақтары қандай? | Эпитаксиалды және диффузиялық вафлилердің айырмашылығы неде? | Галлий нитриді эпитаксиалды пластиналар: өндіріс процесіне кіріспе | SiC қайықтары кварц қайықтарына қарсы: жартылай өткізгіштерді өндірудегі ағымдағы пайдалану және болашақ тенденциялар | Химиялық будың тұндыруын түсіну (CVD): жан-жақты шолу | Жоғары тазалықтағы CVD Thick SiC: Материалдық өсімге арналған процесс инсайттары | Вафельді өңдеудегі электростатикалық патронның (ESC) құпиясын жою технологиясы | Кремний карбидті керамика және олардың әртүрлі өндіріс процестері | Жоғары таза кварц: жартылай өткізгіштер өнеркәсібі үшін таптырмас материал | Кремний карбидті керамика үшін агломерациялаудың 9 әдісіне шолу | Кремний карбиді керамикасын дайындаудың мамандандырылған әдістері | Неліктен SiC керамикалық дайындау үшін қысымсыз агломерацияны таңдау керек? | Жартылай өткізгіштер мен фотоэлектрлік секторлардағы SiC керамикасының қолданылуы мен даму перспективаларын талдау | Кремний карбиді керамика қалай қолданылады және оның тозуға және жоғары температураға төзімділігіндегі болашағы қандай? | Реакциялық агломерацияланған SiC керамика және олардың қасиеттерін зерттеу | MOCVD процестеріндегі SiC қапталған сенсорлар | Мамандандырылған графитке арналған Semicorex технологиясы | Жартылай өткізгіштер өрісінде SiC және TaC жабындарының қолданылуы қандай? | PECVD процесі | Жоғары таза кремний карбиді ұнтағын синтездеу | Иерархиялық кеуекті көміртекті материалдар: синтез және кіріспе | Жалған вафель дегеніміз не? | Шыны тәрізді көмірқышқылауы дегеніміз не

SiC эпитаксисі дегеніміз не? | Эпитаксиалды пластинка процесі дегеніміз не? | Эпитаксиалды пластиналар не үшін қолданылады? | MOCVD жүйесі дегеніміз не? | Кремний карбидінің артықшылығы неде? | Жартылай өткізгіш дегеніміз не? | Жартылай өткізгіштерді қалай жіктеуге болады | Чиптердің жетіспеушілігі проблема болып қала береді | Жақында Жапония жартылай өткізгіштерді шығаратын жабдықтың 23 түрін экспорттауды шектеді | SiC пластинаның эпитаксисі үшін CVD процесі | Қытай жартылай өткізгіш жабдықтардың ең ірі нарығы болып қала берді | CVD пешін талқылау | Эпитаксиалды қабаттар үшін қолдану сценарийлері | TSMC: келесі жылы 2 нм технологиялық тәуекелді сынақ өндірісі | Жартылай өткізгіш жобалары бойынша қаражат | MOCVD негізгі жабдық болып табылады | SiC қапталған графит сенсорлары нарығының айтарлықтай өсуі | SiC эпитаксиалды процесі қандай? | Неліктен SiC қапталған графит сенсорларын таңдау керек? | P-типті SiC пластинасы дегеніміз не? | SiC керамикасының әртүрлі түрлері | Кореялық жад микросхемалары күрт төмендеді | SOI дегеніміз не | Консольдық қалақты білу | SiC үшін CVD дегеніміз не | Тайваньның PSMC Жапонияда 300 мм вафли фабрикасын салады | Жартылай өткізгішті қыздыру элементтері туралы | GaN Industry қолданбалары | Фотоэлектрлік өнеркәсіптің дамуына шолу | Жартылай өткізгіштегі CVD процесі дегеніміз не? | TaC жабыны | Сұйық фаза эпитаксисі дегеніміз не? | Неліктен сұйық фазалық эпитаксия әдісін таңдау керек? | SiC кристалдарындағы ақаулар туралы - Micropipe | SiC кристалдарындағы дислокация | Құрғақ ою және дымқыл ою | SiC эпитаксисі | Изостатикалық графит дегеніміз не? | Изостатикалық графитті алу процесі қандай? | Диффузиялық пеш дегеніміз не? | Графит шыбықтарын қалай жасауға болады? | Кеуекті графит дегеніміз не? | Жартылай өткізгіш өнеркәсібіндегі тантал карбиді жабындары | LPE жабдығы | AlN кристалының өсуіне арналған TaC жабу тигелі | AlN кристалын өсіру әдістері | CVD әдісімен TaC жабу | CVD-SiC жабындарына температураның әсері | Кремний карбиді қыздыру элементтері | Кварц дегеніміз не? | Жартылай өткізгішті қолданудағы кварц өнімдері | Физикалық бу тасымалдауды (PVT) енгізу | Графитті қалыптаудың 3 әдісі | Жартылай өткізгішті кремний монокристалдарының жылу өрісінде қаптау | GaN және SiC | Сіз кремний карбиді ұнтақтай аласыз ба? | Кремний карбиді өнеркәсібі | Графиттегі TaC жабыны дегеніміз не? | Құрылымы әртүрлі SiC кристалдарының айырмашылығы | Субстратты кесу және тегістеу процесі | TaC қапталған графит компоненттерін қолдану | MOCVD білу | Сублимация SiC өсуіндегі допингтік бақылау | EV индустриясындағы SiC артықшылықтары | Кремний карбиді (SiC) қуат құрылғылары нарығының өсуі және болжамы | GaN білу | Жартылай өткізгіш құрылғылардағы эпитаксиалды қабаттардың шешуші рөлі | Эпитаксиалды қабаттар: Жетілдірілген жартылай өткізгіш құрылғылардың негізі | SiC ұнтағын дайындау әдісі | Кремний карбиді ионын имплантациялау және күйдіру процесіне кіріспе | Кремний карбидінің қолданылуы | Кремний карбиді (SiC) субстраттарының негізгі параметрлері | SiC субстратын өңдеудегі негізгі қадамдар | Субстрат және эпитаксия: жартылай өткізгіштерді өндірудегі негізгі рөлдер | Үшінші буын жартылай өткізгіштерге кіріспе: GaN және онымен байланысты эпитаксиалды технологиялар | GaN дайындаудағы қиындықтар | Кремний карбиді пластинаның эпитаксистік технологиясы | Кремний карбидті қуат құрылғыларына кіріспе | Жартылайөткізгіштер өнеркәсібіндегі құрғақ сілтілеу технологиясын түсіну | Кремний карбиді субстрат | SiC субстраттарын дайындаудың қиындығы | Толық жартылай өткізгішті құрылғыны жасау процесін түсіну | Жартылай өткізгіштер өндірісінде кварцтың әртүрлі қолданылуы | SiC және GaN қуат құрылғыларында ионды имплантациялау технологиясының қиындықтары | Иондық имплантация және диффузия процесі | CMP процесі дегеніміз не | CMP процесін қалай жасауға болады | Неліктен глий нитриді (GaN) эпитаксисі GaN субстратта өспейді? | Тотығу процесі | Ақаусыз эпитаксиалды өсу және сәйкес келмейтін дислокациялар | 4-ші буын жартылай өткізгіштер Галлий оксиді/β-Ga2O3 | SiC және GaN электромобильдерде қолданылуы | Жартылай өткізгіштер өнеркәсібіндегі SiC субстраттарының және кристалдардың өсуінің маңызды рөлі | Кремний карбиді субстратының негізгі процесінің ағыны | SiC кесу | Кремний пластинасы | Субстрат және эпитаксия | Монокристалды кремний мен поликристалды кремний | 3C-SiC гетероепитаксиясы: шолу | Жұқа қабықтың өсу процесі | Графиттену дәрежесі дегеніміз не? | SiC керамика: жартылай өткізгіштер өндірісіндегі жоғары дәлдіктегі компоненттер үшін таптырмас материал | GaN монокристалы | GaN кристалының өсу әдісі | SiC жартылай өткізгішіндегі графитті тазарту технологиясы | Кремний карбидінің кристалдарын өсіретін пештердегі техникалық қиындықтар | Галий нитриді (GaN) субстратының қолданылуы қандай? | Көміртегі негізіндегі материал беттеріндегі TaC жабындарын зерттеу барысы | Изостатикалық графит өндіру технологиясы | Жылу өрісі дегеніміз не? | GaN және SiC: бірге өмір сүру немесе алмастыру? | Электростатикалық патрон (ESC) дегеніміз не? | Кремний мен кремний карбидті пластиналар арасындағы оптикалық айырмашылықтарды түсіну | Кремний нитриді дегеніміз не | Жартылай өткізгішті өңдеудегі тотығу | Монокристалды кремний өндірісі | Infineon әлемдегі алғашқы 300 мм қуатты GaN вафлиін ашты | Crystal Growth пеш жүйесі дегеніміз не | n-типті 4H-SiC кристалдарындағы электрлік кедергінің таралуын зерттеу | Жартылай өткізгіш өндірісінде ультрадыбыстық тазалауды неге пайдалану керек? | Термиялық күйдіру дегеніміз не | Бастапқы өсу фазасында температура градиентін бақылау арқылы жоғары сапалы SiC кристалының өсуіне қол жеткізу | Чиптерді өндіру: жұқа пленка процестері | Керамикалық электростатикалық патрондар қалай өндіріледі? | Қазіргі жартылай өткізгіштер өндірісіндегі күйдіру процестері | Жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде неге жоғары жылу өткізгіш SiC керамикасына сұраныс артуда? | Кремний материалымен таныстыру | SiC монокристалды субстратты өңдеу | Кремний пластиналарындағы кристалды бағдарлау және ақаулар | Кремний пластинкаларының бетін жылтырату | GaN-ның өлімге әкелетін кемшілігі | Кремний пластинкасының бетін соңғы жылтырату | Кремний карбиді қалай өндіріледі? | Wolfspeed неміс жартылай өткізгіш зауытының құрылыс жоспарларын тоқтатады | Электростатикалық патронның (ESC) құрылымы | Төмен температурадағы плазмалық ою дегеніміз не? | Гомоэпитаксия және гетероэпитаксия қарапайым түсіндіріледі | Көміртекті талшықты композитті қолдану | Кремний жартылай өткізгіш микросхемалардың болашақ перспективаларын зерттеу | SK Siltron АҚШ Энергетика министрлігінен 544 миллион доллар несие алып SiC вафли өндірісін кеңейтеді. | GaN қолдану | Dummy Wafer дегеніміз не | Кремний карбиді пластинасын өңдеуде ақауларды анықтау | Жартылай өткізгішті қоспалау процесі | Жасанды интеллект пен физиканың бірігуі: Нобель сыйлығының артындағы CVD технологиялық инновациясы | Ою процесінің параметрлері | Графитизация мен карбонизацияның айырмашылығы неде? | 840 миллион долларға жуық: Onsemi SiC компаниясын сатып алады | Жартылай өткізгіштегі бірлік: Ангстром | Чип өндірісіндегі SiGe: кәсіби жаңалықтар туралы есеп | SiGe және Si селективті ою технологиясы | PVT әдісімен AlN кристалының өсуі | Күйдіру | Жартылай өткізгіш ионды имплантациялау технологиясы дегеніміз не? | SiC өндірісінде қандай қиындықтар бар? | Вафли өндірісі | Чохральский әдісі | 12 дюймдік кремний карбидті субстраттарды қолдану перспективалары | Кремний карбидінің қолданылуы | SIC-тегі TAC жабынының артықшылықтары | Жетілдірілген материалдар жартылай өткізгіш пешінің дизайнындағы сыни мәселелерді қалай шешеді | Карбидті керамикалық мембраналардың қолданылуы қандай? | Ішкі кремний | Карбид Карбидті керамикалық мембрана: түрлі бейорганикалық мембраналарды алмастыратын жаңа бөлгіш мембрана | TAC SIC Crystal өсуінде кесілген | Электронды сортты кремний карбиді ұнтағы | Алн жылытқыш дегеніміз не | Жартылай өткізгіштер керамикалық бөліктері | LPE - 4H-SIC бірыңғай кристалын және 3C-SIC жалғыз кристалын дайындаудың маңызды әдісі | Керамикалық жылытқыштар