Эпитаксия

Si эпитаксисі қалыңдық, қоспа концентрациясы және құрамы сияқты арнайы қабат қасиеттерін жобалауға мүмкіндік береді. Қоспалар ретінде белгілі қоспалардың бақыланатын мөлшерін эпитаксиалды қабатқа енгізу арқылы алынған құрылғылардың электрлік сипаттамаларын дәл реттеуге болады. Бұл әртүрлі өткізгіштік типтері (n-типі немесе p-типі) және қажетті тасымалдаушы концентрациясы бар әртүрлі аймақтарды құруға мүмкіндік береді, бұл күрделі электронды схемаларды біріктіруге мүмкіндік береді.

Si эпитаксисі микропроцессорларды, жад микросхемаларын, кескін сенсорларын және күн батареяларын қоса алғанда, жетілдірілген жартылай өткізгіш құрылғыларды жасаудағы іргелі процесс болып табылады. Ол құрылғы өнімділігін, кішірейтуді және функционалдығын жақсартуда маңызды рөл атқарады. Материалдық қасиеттерді дәл бақылай отырып, жоғары сапалы эпитаксиалды қабаттарды қою мүмкіндігі жартылай өткізгіштер өнеркәсібіндегі үздіксіз прогресс пен инновацияларға ықпал етеді.