ICP кремний көміртекті қапталған графиті

Semicorex компаниясының ICP кремнийді көміртекті жабынымен қапталған графиті пластинаны өңдеуді талап ететін және жұқа қабықпен тұндыру процестері үшін тамаша таңдау болып табылады. Біздің өнім жоғары жылу және коррозияға төзімділігімен, тіпті термиялық біркелкілігімен және ламинарлы газ ағынының оңтайлы үлгілерімен мақтана алады.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Эпитаксиалды өсуді өңдеуде қолданылатын пластиналар жоғары температураға және қатты химиялық тазалауға төтеп беруі керек. Semicorex ICP кремний көміртегімен қапталған графит сенсорлары осы талап етілетін эпитаксистік жабдықты қолдану үшін арнайы әзірленген. Біздің өнім ұзақ қызмет етуді және оңтайлы нәтижелерді қамтамасыз ететін жоғары температура мен қатал химиялық тазалауға төтеп беру үшін жасалған.
Біздің ICP кремний көміртегімен қапталған графиті жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ламинарлы газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафли чипіндегі жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.
ICP кремний көміртекті қапталған графиті туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

ICP кремний көміртегімен қапталған графитінің параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC Î² фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	Î¼м	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Жіңішке күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Young's модулі	Gpa (4pt иілісі, 1300â)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300