SiC эпи-вафельді сіңіргіш

Semicorex - Қытайдағы кремний карбидпен қапталған графит сусцепторының ірі өндірушісі және жеткізушісі. Біз кремний карбиді қабаттары және эпитаксистік жартылай өткізгіш сияқты жартылай өткізгіш салаларға назар аударамыз. Біздің SiC Epi-Вафельді сусептор жақсы баға артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарды қамтиды. Біз сіздің ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Semicorex пластиналарды қолдау үшін қолданылатын MOCVD қапталған SiC Epi-Вафельді сіңіргішпен қамтамасыз етеді. Олардың жоғары таза кремний карбидімен (SiC) қапталған графит конструкциясы жоғары ыстыққа төзімділікті, эпи қабаттың тұрақты қалыңдығы мен тұрақтылығы үшін біркелкі термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз етеді. Жұқа SiC кристалды жабыны таза, тегіс бетті қамтамасыз етеді, өңдеу үшін өте маңызды, өйткені таза пластиналар олардың бүкіл аймағының көптеген нүктелерінде қабылдағышпен байланысады.
Біздің SiC Epi-Вафельді қабылдағыш жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ламинарлы газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафли чипіндегі жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.
SiC эпи-вафельді сусептор туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

SiC Epi-Вафельді сусептордың параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC Î² фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	Î¼м	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Жіңішке күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Young's модулі	Gpa (4pt иілісі, 1300â)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300

SiC Epi-wafer Susceptor ерекшеліктері

Жоғары таза SiC қапталған графит
Жоғары ыстыққа төзімділік және жылу біркелкілігі
Тегіс бет үшін жұқа SiC кристалы қапталған
Химиялық тазалауға төзімділігі жоғары
Материал жарықтар мен деламинация пайда болмайтындай етіп жасалған.