SiC соңғы эффекторы

Semicorex - Қытайдағы кремний карбидімен қапталған графит сусцепторының ірі өндірушісі және жеткізушісі. Біз кремний карбиді қабаттары және эпитаксистік жартылай өткізгіш сияқты жартылай өткізгіш салаларға назар аударамыз. Біздің SiC End Effector бағаның жақсы артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарды қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Semicorex SiC End Effector кремний карбиді жабыны (SiC) графитінен жасалған, жабын CVD әдісімен жоғары тығыздықтағы графиттің белгілі бір сорттарына қолданылады, сондықтан ол инертті атмосферада 3000 °C жоғары жоғары температуралы пеште жұмыс істей алады, Вакуумда 2200°С.

Біздің SiC End Effector жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ең жақсы ламинарлы газ ағынының үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафельді чипте жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.

SiC End Effector туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

SiC End Effector параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC Î² фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	Î¼м	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Жіңішке күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Young's модулі	Gpa (4pt иілісі, 1300â)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300