Sicoi вафли

БІЗвафлиБұл бірегей әдісті қолдана отырып, үш қабатты құрылымы бар композициялық жартылай өткізгіш материал.

SICOI вафлиінің төменгі қабаты - бұл SICOI вафлиінің құрылымдық тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін сенімді механикалық қолдау көрсететін кремний субстраты. Оның оңтайлы жылу өткізгіштігі жылу жинақталуының жартылай өткізгіш құрылғыларының жұмысына әсерін азайтады, оларды ұзақ уақыт бойы де ұзақ уақыт жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Сонымен қатар, кремний субстраты қазіргі уақытта жартылай өткізгіш өндірісте қолданылатын жабдықтар мен техникаларға сәйкес келеді. Бұл өндірістік шығындар мен күрделілікті төмендетеді, ал күрделілік пен күрделілікті арттыру және Жаппай өндірісті жеделдету кезінде.

Силикон субстраты мен SIC құрылғысы қабаты, оқшаулайтын оксид қабаты арасындағы, бұл SICOI вафлиінің ортаңғы қабаты. Жоғарғы және төменгі қабаттар арасындағы ағымдағы жолдарды оқшаулау арқылы оқшаулағыш оксид қабаты қысқа тұйықталу қаупін тигізеді және жартылай өткізгіш құрылғылардың тұрақты электрлік жұмысына кепілдік береді. Сіңірудің төмен сипаттамасына байланысты, ол оптикалық шашырауды едәуір азайтуға және жартылай өткізгіш құрылғылардың оптикалық сигнал беру тиімділігін арттыруға мүмкіндік береді.

Силикон Карбид құрылғысының қабаты - SICOI вафлиінің негізгі функционалды қабаты. Бұл ерекше механикалық, фотоникалық және кванттық функцияларға, оның ерекше механикалық беріктігіне, жоғары сынғыш индексіне, төмендетілген индексіне, төмен оптикалық жоғалтуға, және керемет жылу өткізгіштікке жету үшін қажет.

SICOI WAFTS қолданушылары:

1. Оптикалық жиіліктік тарақ сияқты сызықты емес оптикалық құрылғы.

2. Өндірістік интегралды фотоникалық чиптер.

3.Флетті электро-оптикалық модулятор

4. Қуат қосқыштары және RF құрылғылары сияқты электроника құрылғыларын шығару.

2. Өндірістік интегралды фотоникалық чиптер.