Эпитаксиалды пластиналар процесі жартылай өткізгіштерді өндіруде қолданылатын маңызды әдіс болып табылады. Ол субстратпен бірдей кристалдық құрылымы мен бағыты бар субстраттың үстіне кристалды материалдың жұқа қабатының өсуін қамтиды. Бұл процесс екі материал арасында жоғары сапалы интерфейс жасайды, бұл алдыңғы қатарлы электронды құрылғыларды дамытуға мүмкіндік береді.

Эпитаксиалды пластинка процесі диодтарды, транзисторларды және интегралды схемаларды қоса алғанда, әртүрлі жартылай өткізгіш құрылғыларды өндіруде қолданылады. Процесс әдетте химиялық буларды тұндыру (CVD) немесе молекулалық сәулелік эпитаксис (MBE) әдістерін қолдану арқылы жүзеге асырылады. Бұл әдістер материал атомдарын субстрат бетіне түсіруді қамтиды, онда олар кристалдық қабат құрайды.

Эпитаксиалды вафли процесі - температура, қысым және газ ағынының жылдамдығы сияқты әртүрлі параметрлерді қатаң бақылауды қажет ететін күрделі және дәл әдіс. Ақаудың төмен тығыздығы бар жоғары сапалы кристалдық құрылымның қалыптасуын қамтамасыз ету үшін эпитаксиалды қабаттың өсуін мұқият бақылау керек.

Эпитаксиалды пластинка процесінің сапасы алынған жартылай өткізгіш құрылғының өнімділігі үшін өте маңызды. Оңтайлы электронды қасиеттерді қамтамасыз ету үшін эпитаксиалды қабат біркелкі қалыңдығына, төмен ақау тығыздығына және жоғары тазалыққа ие болуы керек. Эпитаксиалды қабаттың қалыңдығы мен легирлеу деңгейін өткізгіштік және жолақ аралығы сияқты қажетті қасиеттерге қол жеткізу үшін дәл бақылауға болады.

Соңғы жылдары эпитаксиалды пластинка процесі өнімділігі жоғары жартылай өткізгішті құрылғыларды өндіруде, әсіресе энергетикалық электроника саласында маңызды бола бастады. Тиімділігі мен сенімділігі жоғары өнімділігі жоғары құрылғыларға сұраныс жетілдірілген эпитаксиалды пластинка процестерінің дамуына түрткі болды.

Эпитаксиалды вафли процесі сонымен қатар температура сенсорларын, газ датчиктерін және қысым датчиктерін қоса алғанда, озық сенсорларды әзірлеуде қолданылады. Бұл сенсорлар арнайы электронды қасиеттері бар жоғары сапалы кристалды қабаттарды қажет етеді, оған эпитаксиалды вафли процесі арқылы қол жеткізуге болады.