N-типті кремний карбиді ұнтағы

Semicorex N-типті кремний карбиді ұнтағы (SiC) - кристалды өсіретін қосымшалар үшін арнайы әзірленген жоғары таза, қоспасы бар SiC материалы. Бұл N-типті кремний карбиді ұнтағы өзінің жоғары электрлік қасиеттерімен және құрылымдық тұтастығымен ерекшеленеді, бұл оны әртүрлі жоғары өнімді жартылай өткізгіш құрылғыларда қолданылатын кремний карбиді кристалдарын өндіру үшін тамаша таңдау жасайды.

N-типті кремний карбиді ұнтағы азотпен (N) легирленген, ол SiC кристалдық торына қосымша бос электрондарды енгізіп, оның электр өткізгіштігін арттырады. Бұл N-типті допинг нақты электрондық қасиеттерді қажет ететін қолданбалар үшін өте маңызды. N-типті кремний карбиді ұнтағы кристалдардың өсу процесіне және соңғы өнімнің өнімділігіне әсер ететін қоспалардың болуын барынша азайтып, жоғары тазалық деңгейіне жету үшін қатаң тазарту процестерінен өтеді.

Semicorex N-типті кремний карбиді ұнтағы біркелкі кристалдың өсуіне ықпал ететін және кремний карбиді кристалдарының жалпы сапасын жақсартатын ұсақ, біркелкі өлшемді бөлшектерден тұрады.

Негізінен кремний карбиді кристалдарын өсіруде қолданылатын бұл N-типті кремний карбиді ұнтағы жоғары қуатты электронды құрылғыларды, жоғары температура сенсорларын және әртүрлі оптоэлектрондық компоненттерді өндіруде ажырамас болып табылады. Ол сондай-ақ жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде ғылыми-зерттеу және әзірлемелерде қолдануға жарамды.

Сипаттамалары

Қолданбалар:

Кремний карбиді кристалының өсуі: жоғары сапалы SiC кристалдарын өсіру үшін бастапқы материал ретінде пайдаланылады.

Жартылай өткізгіш құрылғылар: жоғары қуатты және жоғары жиілікті электронды компоненттер үшін өте қолайлы.

Жоғары температуралы электроника: төтенше жағдайларда сенімді өнімділікті талап ететін қолданбалар үшін қолайлы.

Оптоэлектроника: ерекше жылу және электрлік қасиеттерді қажет ететін құрылғыларда қолданылады.