SiC эпитаксисі дегеніміз не?

Кремний карбиді (SiC) эпитаксисі жартылай өткізгіштер саласындағы, әсіресе жоғары қуатты электронды құрылғыларды жасау үшін негізгі технология болып табылады. SiC – кең диапазоны бар құрама жартылай өткізгіш, бұл оны жоғары температура мен жоғары вольтты жұмысты қажет ететін қолданбалар үшін өте қолайлы етеді.

SiC эпитаксисі - химиялық бу тұндыру (CVD) немесе молекулалық сәулелік эпитаксис (MBE) әдістерін пайдалана отырып, субстратта, әдетте кремнийде кристалды материалдың жұқа қабатын өсіру процесі. Эпитаксиалды қабат субстрат сияқты бірдей кристалдық құрылымы мен бағытына ие, бұл екі материал арасындағы жоғары сапалы интерфейсті қалыптастыруға мүмкіндік береді.

SiC эпитаксисі диодтар, транзисторлар және тиристорлар сияқты қуат құрылғыларын қоса алғанда, қуатты электрониканы әзірлеуде кеңінен қолданылды. Бұл құрылғылар электр көліктері, жаңартылатын энергия жүйелері және қуат көздері сияқты кең ауқымда қолданылады.

Соңғы жылдары электрлік көліктер мен жаңартылатын энергия жүйелері сияқты қолданбаларға арналған жоғары қуатты құрылғыларды жасау үшін SiC эпитаксисінің дамуына қызығушылық артты. Бұл құрылғыларға сұраныс тиімдірек және тұрақты энергия жүйелеріне қажеттіліктен туындаған алдағы жылдарда тез өседі деп күтілуде.

Осы сұранысқа жауап ретінде зерттеушілер мен компаниялар процестің сапасын жақсартуға және құнын төмендетуге баса назар аудара отырып, SiC эпитаксистік технологиясын дамытуға инвестиция салуда. Мысалы, кейбір компаниялар бір пластинаның құнын төмендету үшін үлкенірек субстраттарда SiC эпитаксисін әзірлейді, ал басқалары ақаулардың тығыздығын азайтудың жаңа әдістерін зерттейді.

SiC эпитаксисі сонымен қатар газды, температураны және қысымды сезінуді қоса алғанда, бірқатар қолданбаларға арналған жетілдірілген сенсорларды әзірлеуде қолданылады. SiC жоғары температура тұрақтылығы және қатал орталарға төзімділік сияқты оны осы қолданбалар үшін өте қолайлы ететін бірегей қасиеттерге ие.