TaC жабынының жоғарғы жартысы

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon - жартылай өткізгіш өндірісі саласында жоғары тиімді эпитаксиалды процестерге қол жеткізу үшін арнайы әзірленген құрамдас бөлік. TaC Coating Upper Halfmoon бөлігі төтенше жағдайларда ерекше беріктік пен тұрақтылықты қамтамасыз ететін эпитаксиалды реакторларға біркелкі орналасуға арналған.

TaC жабыны жоғары температураға тамаша төзімділік береді, бұл TaC Coating Upper Halfmoon эпитаксиалды процестердің талап етілетін жылу орталары үшін өте қолайлы етеді. Бұл тұрақты өнімділік пен ұзақ қызмет мерзімін қамтамасыз етеді, ауыстыру жиілігін және тоқтау уақытын азайтады. TaC Coating Upper Halfmoon эпитаксиалды өсуде әдетте қолданылатын коррозиялық газдар мен химиялық заттарға төтеп бере алады, құрамдас бөліктің тұтастығын қорғайды және процестің тазалығын сақтайды.

Тегіс және біркелкі TaC жабыны ақаулар мен қоспаларды азайту арқылы эпитаксиалды қабаттардың сапасын арттырады. Бұл жартылай өткізгіш құрылғылардың жоғары өнімділігі мен жоғары электрондық қасиеттеріне ықпал етеді. Термиялық және химиялық төзімділіктің үйлесімі TaC Coating Upper Halfmoon пайдалану мерзімін ұзартады, бұл жартылай өткізгіштерді өндіруде жоғары өткізу қабілеті мен тиімділікті сақтау үшін үнемді шешімді қамтамасыз етеді.

Қолданбалар:

Жоғары температурадағы химиялық буларды тұндыру (CVD) процестері

Кремний карбиді (SiC) және галлий нитриді (GaN) эпитаксисі

Техникалық сипаттамалары:

Материал: тантал карбиді (TaC) жабыны

Температура диапазоны: 2200°C дейін

Химиялық төзімділік: HF, HCl және басқа коррозиялық газдарға өте жақсы

Өлшемдері: реактордың нақты үлгілеріне сәйкестендірілген

Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon тиімділігі жоғарылатылған және ластану қаупін азайтатын жоғары сапалы эпитаксиалды қабаттарға қол жеткізу үшін маңызды құрамдас болып табылады. Оның жетілдірілген материалдық қасиеттері мен нақты инженериясы оны жартылай өткізгіштер өнеркәсібіндегі құнды активке айналдырып, келесі ұрпақ электронды құрылғыларының өндірісін қолдайды.