CVD TAC SUSPEPTOR

MOCVD жүйесінде сезімталдық - бұл эпитаксиальды өсу кезінде вафли орналастырылған негізгі платформа. Температураны дәл температураны, химиялық тұрақтылық, реактивті газдардағы механикалық тұрақтылық және реактивті газдардағы механикалық тұрақтылық 1200 ° C-тан жоғары температурада сақталады. Softorex CVD TAC SUSPEPTOR SUSPEPTOR, инженерлік графит субстратын тығыз, формамен біріктіру арқылы жүзеге асыра аладыТантал Карбидінің қаптауы (TAC)химиялық бумен тұндыру (CVD) арқылы жасалған.

TAC сапасына оның ерекше қаттылығы, коррозияға төзімділігі және жылу тұрақтылығы кіреді. TAC еріген нүктеге ие, ал 3800 ° C-тан асады, ал бүгінгі таңда температураға төзімді материалдардың бірі, оны MOCVD реакторларында пайдалануға жарамды, w

Алдыңғы және өте коррозияға ұшырауы мүмкін прекурсорлар. ТаCVD TAC жабыныГрафит сорғыштар мен реактивті газдар, мысалы, аммиак (NH₃), және жоғары реактивті, металл-органикалық препараттар арасындағы қорғаныс барьерін ұсынады. Қаптау графит субстратының химиялық деградациясын, депозиттік ортадағы бөлшектердің түзілуіне және жиналған фильмдерге қоспалардың таралуын болдырмайды. Бұл іс-шаралар жоғары сапалы, эпитаксиальды фильмдер үшін өте маңызды, өйткені олар фильм сапасына әсер етуі мүмкін.

Вафли Сиқырсорлар вафлиді дайындау үшін маңызды компоненттер болып табылады және SIC, ALN және gan сияқты III класты жартылай өткізгіштерінің эпитаксиалды өсуі. Вафлидің көпшілігі графиттен жасалған және технологиялық газдардан коррозиядан қорғау үшін SIC-пен қапталған. Эпитаксиальды өсу температурасы 1100-ден 1600 ° C-қа дейін, ал қорғаныш жабынының коррозияға төзімділігі вафлидің суперглиясының ұзақ өмір сүруі үшін өте маңызды. Зерттеулер көрсеткендей, TAC Ammonia-дағы SIC-тен алты есе баяу және он есе жоғары температуралы сутектелерде баяу.

Эксперименттер TAC жабылған тасымалдаушылар қоспаларды енгізбестен көк ган моквд процесінде керемет үйлесімділікті көрсетті. Технологиялық процестер шектеулі, TAC тасымалдаушыларының көмегімен өсірілген жарық диодтары кәдімгі SIC тасымалдаушыларының көмегімен өскендердің өнімділігі мен біркелкілігін көрсетеді. Сондықтан, TAC-қапталған тасымалдаушылар жалаң графитке қарағанда ұзағырақ өмір сүру ұзақтығы бар.

ПайдалануТантал Карбид (TAC) жабындарыШпорт ақауларына жүгініп, кристалды өсудің сапасын жақсарта алады, бұл оны «тез, қалың, ұзағырақ және ұзақ өсу» үшін негізгі технологияға айналдыра алады. Сондай-ақ, салалық зерттеулер көмірсутекті графитті графитті кресттердің біркелкі жылуына қол жеткізе алатындығын көрсетті, осылайша SIC бірыңғай кристалды өсуіне өте жақсы процестерді қамтамасыз етеді, осылайша SIC Crystal шетінен поликристалды түзілу ықтималдығын едәуір азайтады.

TAC CVD қабатты тұндыру әдісі өте тығыз және жабысқақ жабынға әкеледі. CVD TAC - бұл субстратқа молекулалық түрде байлап, бүріккіш немесе қапталған жабындарға қарағанда, жабық деламинацияға ұшырайды. Бұл жақсырақ адгезияға, тегіс беттің қабатына және жоғары тұтастығына аударылады. Қаптау эрозияға, крекингке және пилингке қарсы тұрады, тіпті агрессивті технологиялық ортада бірнеше рет цитальды түрде айналады. Бұл сезімталдық және техникалық қызмет көрсету және ауыстыру шығындарының ұзақ қызмет ету мерзімін жеңілдетеді.

Сусептінің CVD-ді SUSPEPTOR-ді көлденең, тік және планетарлық жүйелерден тұратын Mocvd реактор конфекциясының диапазонына сай етіп баптауға болады.  Реттеу технологиялық жағдайларға байланысты оңтайландыруға мүмкіндік беретін жабынның қалыңдығы, субстрат материалы және геометриясы кіреді.  Ган, Алған, Инг, Инган үшін немесе басқа құрама жартылай өткізгіш материалдар үшін немесе басқа құрама жартылай өткізгіш материалдар үшін мецептор тұрақты және қайталама өнімділікті қамтамасыз етеді, екеуі де құрылғыны қайта өңдеу үшін қажет.

TAC жабыны ұзақ уақыт берік және тазалық ұсынады, бірақ сонымен бірге ол термиялық стресстен жылу деформациясына қарсы тұрақтылықпен сезімталның механикалық қасиеттерін күшейтеді. Механикалық қасиеттер ұзақ суды ұстап тұру кезінде вафлиді және айналмалы балансты қамтамасыз етеді.  Сонымен қатар, жақсарту дәйекті репродуктивтілік пен жабдықтың жұмыс уақытын жеңілдетеді.