Кремний карбиді (SiC) кристалды өсіретін пеш

Кристаллдың өсуі өндірістегі негізгі буын болып табыладыКремний карбиді субстраттары, ал негізгі жабдық кристалды өсіретін пеш болып табылады. Дәстүрлі кристалды кремнийлі кристалды өсіретін пештерге ұқсас, пештің құрылымы өте күрделі емес және негізінен пеш корпусынан, жылыту жүйесінен, катушкаларды беру механизмінен, вакуумды алу және өлшеу жүйесінен, газ жолы жүйесінен, салқындату жүйесінен тұрады. , басқару жүйесі және т.б., олардың арасында жылу өрісі мен технологиялық жағдайлар сапасын, өлшемін, өткізгіштік қасиеттерін және басқа да негізгі көрсеткіштерін анықтайды.Кремний карбиді кристалдары.

Өсу кезіндегі температуракремний карбидінің кристалдарыөте жоғары және оны бақылау мүмкін емес, сондықтан негізгі қиындық процестің өзінде жатыр.

(1) Жылу өрісін басқару қиын: жабық жоғары температуралы қуыстарды бақылау қиын және бақыланбайды. Кремний негізіндегі дәстүрлі ерітіндіден айырмашылығы, жоғары автоматтандыру дәрежесі бар және кристалдардың өсу процесін бақылауға және басқаруға болатын кристалды өсіретін жабдық, кремний карбиді кристалдары 2000°C жоғары температурада жабық кеңістікте өседі және Өндіріс кезінде өсу температурасын дәл бақылау қажет. , температураны бақылау қиын;

(2) Кристалдық пішінді бақылау қиын: микротүтікшелер, политипті қосындылар және дислокациялар сияқты ақаулар өсу процесінде пайда болады және олар өзара әрекеттесіп, бір-бірімен дамиды. Микроқұбырлар (МП) өлшемдері бірнеше микроннан ондаған микронға дейінгі еніп кететін ақаулар болып табылады және құрылғылардың жойғыш ақаулары болып табылады; кремний карбидінің монокристалдары 200-ден астам әртүрлі кристалдық формаларды қамтиды, бірақ тек бірнеше кристалдық құрылымдар (4H түрі) Бұл өндіріс үшін қажет жартылай өткізгіш материал. Өсу процесінде кристалдық трансформация пайда болады, бұл көп типті инклюзия ақауларын тудырады. Сондықтан кремний-көміртек қатынасы, өсу температурасының градиенті, кристалдың өсу жылдамдығы және ауа ағынының қысымы сияқты параметрлерді дәл бақылау қажет. Сонымен қатар, кремний карбидінің монокристалының өсуі Термиялық өрісте температура градиенті бар, бұл кристалдың кезінде табиғи ішкі кернеу және нәтижесінде дислокациялар (базальды жазықтық дислокация BPD, бұрандалы дислокация TSD, жиекті дислокация TED) сияқты ақаулардың болуына әкеледі. өсу процесі, осылайша кейінгі эпитаксия мен құрылғыларға әсер етеді. сапасы мен өнімділігі.

(3) Допинг-бақылау қиын: бағытталған легирленген өткізгіш кристалдарды алу үшін сыртқы қоспалардың енгізілуін қатаң бақылау керек;

(4) Баяу өсу жылдамдығы: кремний карбидінің кристалдық өсу жылдамдығы өте баяу. Дәстүрлі кремний материалының кристалды таяқшаға айналуы үшін небәрі 3 күн қажет, ал кремний карбиді кристалды таяқша үшін 7 күн қажет. Бұл кремний карбидінің өндіріс тиімділігінің табиғи төмендеуіне әкеледі. Төмен, шығыс өте шектеулі.

Екінші жағынан, кремний карбидінің эпитаксиалды өсу параметрлері өте талап етеді, соның ішінде жабдықтың герметикалық болуы, реакция камерасының қысымының тұрақтылығы, газды енгізу уақытын дәл бақылау, газ қатынасының дәлдігі және қатаң талаптар. тұндыру температурасын басқару. Әсіресе құрылғылардың кернеу деңгейі жоғарылаған сайын, эпитаксиалды пластинаның негізгі параметрлерін басқарудың қиындығы айтарлықтай артады.

Сонымен қатар, эпитаксиалды қабаттың қалыңдығы ұлғайған сайын, қалыңдығын қамтамасыз ете отырып, кедергінің біркелкілігін бақылау және ақау тығыздығын азайту жолы тағы бір маңызды мәселеге айналды. Электрлендірілген басқару жүйелерінде әртүрлі параметрлердің дәл және тұрақты реттелуін қамтамасыз ету үшін жоғары дәлдіктегі датчиктер мен жетектерді біріктіру қажет. Сонымен бірге басқару алгоритмін оңтайландыру да шешуші мәнге ие. Ол кремний карбидінің эпитаксиалды өсу процесіндегі әртүрлі өзгерістерге бейімделу үшін нақты уақытта кері байланыс сигналдарына негізделген басқару стратегиясын реттей алуы керек.

Semicorex жоғары сапаны ұсынадыSiC кристалының өсуіне арналған компоненттер. Егер сізде қандай да бір сұрақтар болса немесе қосымша мәліметтер қажет болса, бізбен байланысудан тартынбаңыз.

Байланыс телефоны +86-13567891907

Электрондық пошта: sales@semicorex.com