CVD TAC S Roots

Subicorex CVD TAC қапталған сақиналар - бұл кристалды өсу процесі үшін арнайы жасалған, әсіресе қатайту және Цочральский (CZ). Бұл CVD TAC SUPS Rings функциясы «Ағындық нұсқаулық сақиналары» немесе «Газды дефляция сақиналары» деп аталатын ағындық нұсқаулық түрінде жұмыс істейді.

Карбид вафлиінің өсуін мысал ретінде, графит материалдарын және көміртекті-көміртекті композициялық материалдарды термиялық дала материалдарындағы материалдарды 2300 ₸ (SI, SIC₂, SICC) орындау қиынға соғады. Қызмет өмірі қысқа, әр түрлі бөлшектер әр түрлі бөлшектер әрқайсысы он пештерге ауыстырылып қана қоймай, диализ және графит графитінің барарлануы жоғары температурада, мысалы, көміртек қосындыларына әкелуі мүмкін. Жартылай өткізгіш кристалдардың жоғары сапалы және тұрақты өсуін қамтамасыз ету және өнеркәсіптік өндірістің құнын ескеру үшін, ультра жоғары температура коррозияға төзімді керамикалық жабындар графит бөліктерінің бетіне дайындалады, олар графит компоненттерінің қызмет етуін ұзартады, кірімді көші-қонды тежейді және кристалды тазалық жақсартады. Кремний карбидінің эпитаксиалды өсуінде, кремний карбидімен қапталған графитті сорғыштар, әдетте, бір кристалл субстраттарын тасымалдау және қыздыру үшін қолданылады. Олардың қызмет ету мерзімін әлі жақсарту қажет, ал кремний карбидоны интерфейс депозиттерін үнемі тазарту керек. Қайта,Тантал Карбид (TAC) жабындарыКоррозиялық атмосфераларға және жоғары температураларға төзімді және мұндай SIC кристалдарының «өсіп, қалың өсіп, жақсы өседі» технологиясы болып табылады.

TAC-тің балқу нүктесі 3880 ℃ дейін, жоғары механикалық беріктік, қаттылық және термиялық соққыға төзімділігі бар; Онда жоғары температурада аммиак, сутегі және кремний бар бумалық инерация және жылу тұрақтылығы бар. TAC жабындыларымен қапталған графит (көміртекті-көміртекті композиция), сонымен қатар, дәстүрлі жоғары тазалық графит, SIC жабындары, SIC жабындары және т.б., сонымен қатар, Aerospace өрісінде, TAC жоғары температуралы анти-тотығуға және антиденцияға қарсы жабынды ретінде қолдануға болады. Алайда, графиттің бетіндегі тығыз, формалы және қабыршақтайтын емес жабындарды дайындауға және өнеркәсіптік жаппай өндірісті алға жылжытуға әлі де көптеген қиындықтар бар. Бұл процессте, өндірістік процесті, өндіріс процесін инновациялық бақылау механизмін зерттеу және жоғары деңгейдегі бәсекелестік үшінші буын жартылай өткізгіш кристалды (эпитакси) үшін өте маңызды.

Кәдімгі графит жиынтығын қолдана отырып, PVT процесіCVD TAC бекітілгенСақиналар эмиссиялардың температураны таратылуына әсерін түсіну үшін модельденді, бұл өсу қарқыны мен құйманың өзгеруіне әкелуі мүмкін. TAD TAC CAT-тің сақиналары бар графиттің біркелкі температурасына қол жеткізетіні көрсетілген. Сонымен қатар, TAC жабынының тамаша жылу және химиялық тұрақтылығы SI буларымен көміртегі реакциясына жол бермейді. Нәтижесінде, TAC жабыны C / SI-ді радиалды бағытта бөлуді біркелкі етеді.