PVT әдісімен жоғары сапалы SiC кристалының өсуіне арналған кеуекті графит

Кремний карбиді (SiC) жартылай өткізгіштер технологиясы саласындағы негізгі материал ретінде пайда болды, оны әртүрлі электронды және оптоэлектрондық қолданбалар үшін өте қажет ететін ерекше қасиеттерді ұсынады. Жоғары сапалы SiC монокристалдарын өндіру қуат электроникасы, жарықдиодты шамдар және жоғары жиілікті құрылғылар сияқты құрылғылардың мүмкіндіктерін арттыру үшін өте маңызды. Бұл мақалада біз 4H-SiC монокристалының өсуі үшін физикалық бу тасымалдау (PVT) әдісіндегі кеуекті графиттің маңыздылығын зерттейміз.

PVT әдісі SiC монокристалдарын алу үшін кеңінен қолданылатын әдіс болып табылады. Бұл процесс SiC бастапқы материалдарын жоғары температуралы ортада сублимациялауды қамтиды, содан кейін олардың бір кристалдық құрылымды қалыптастыру үшін тұқымдық кристалда конденсациялануы. Бұл әдістің жетістігі өсу камерасындағы жағдайларға, соның ішінде температураға, қысымға және қолданылатын материалдарға байланысты.

Бірегей құрылымы мен қасиеттері бар кеуекті графит SiC кристалының өсу процесін жақсартуда шешуші рөл атқарады. Дәстүрлі PVT әдістерімен өсірілген SiC кристалдары бірнеше кристалды пішіндерге ие болады. Дегенмен, пеште кеуекті графитті тигельді пайдалану 4H-SiC монокристалының тазалығын айтарлықтай арттыруы мүмкін.

Кеуекті графиттің 4H-SiC монокристалының өсуіне арналған PVT әдісіне қосылуы жартылай өткізгіштер технологиясы саласындағы айтарлықтай ілгерілеушілікті білдіреді. Кеуекті графиттің бірегей қасиеттері газ ағынының жоғарылауына, температураның біртектілігіне, кернеуді азайтуға және жылу диссипациясының жақсаруына ықпал етеді. Бұл факторлардың нәтижесінде ақаулары аз жоғары сапалы SiC монокристалдары өндіріледі, бұл тиімдірек және сенімді электронды және оптоэлектрондық құрылғылардың дамуына жол ашады. Жартылай өткізгіштер өнеркәсібі дамуын жалғастыруда, SiC кристалының өсу процестерінде кеуекті графитті пайдалану электронды материалдар мен құрылғылардың болашағын қалыптастыруда шешуші рөл атқаруға дайын.