Вафельді тасымалдаушы

· Өте жақсы жылу өткізгіштік: жартылай өткізгішті эпитаксиалды өсу процестері кезінде қажет тиімді жылу беруді жеңілдетеді.

· Жоғары температураға төзімділік: SiC жабыны экстремалды ыстық орталарға төтеп береді, бұл тасымалдаушының реактордағы жылу айналымының барлық уақытында өнімділігін сақтауын қамтамасыз етеді.

· Химиялық коррозияға төзімділік: SiC жабыны тасымалдаушының тотығуға және эпитаксия кезінде жиі кездесетін реактивті газдардан коррозияға төзімділігін айтарлықтай жақсартады.

· Өлшемдік тұрақтылық: SiC және графит комбинациясы тасымалдаушының уақыт өте келе пішіні мен дәлдігін сақтап қалуын қамтамасыз етеді, ұзақ процесс кезінде деформация қаупін азайтады.

Жартылай өткізгішті эпитаксияның өсуін қолдану

Эпитаксия - кристалдық тор құрылымын қалыптастыру үшін жартылай өткізгіш материалдың жұқа қабаты субстратқа, әдетте вафлиге түсетін процесс. Бұл процесс барысында вафлиді дәл өңдеу өте маңызды, өйткені пластинаның орналасуындағы шамалы ауытқулар қабат құрылымында ақауларға немесе өзгерістерге әкелуі мүмкін.

Вафельді тасымалдаушы жартылай өткізгіш пластиналар осы процесс барысында қауіпсіз ұсталуын және дұрыс орналасуын қамтамасыз етуде маңызды рөл атқарады. SiC қапталған графит комбинациясы кремний карбидінің (SiC) эпитаксиясы үшін қажетті өнімділік сипаттамаларын береді, бұл процесс қуатты электроникада, оптоэлектроникада және басқа да жетілдірілген жартылай өткізгіш қолданбаларында пайдалану үшін жоғары таза SiC кристалдарын өсіруді қамтиды.

Атап айтқанда, вафельді тасымалдаушы:

· Вафлидің дәл туралануын қамтамасыз етеді: пластиналардағы эпитаксиалды қабаттың өсуінің біркелкілігін қамтамасыз ету, бұл құрылғының кірістілігі мен өнімділігі үшін өте маңызды.

· Жылулық циклдерге төтеп береді: SiC қапталған графит 2000°C дейінгі жоғары температуралы орталарда да тұрақты және сенімді болып қалады, бүкіл процесс барысында вафельді дәйекті өңдеуді қамтамасыз етеді.

· Вафельді ластануды азайтады: Тасымалдаушының жоғары таза материал құрамы пластинаның эпитаксиалды өсу процесі кезінде қажетсіз ластаушы заттардың әсеріне ұшырамауын қамтамасыз етеді.

Жартылай өткізгішті эпитаксистік реакторларда пластинаны тасымалдаушы реактор камерасына орналастырылады, онда ол пластинаның тірек платформасы ретінде қызмет етеді. Тасымалдаушы пластинаның тұтастығын бұзбай, эпитаксиалды өсу процесінде қолданылатын жоғары температура мен реактивті газдардың әсеріне мүмкіндік береді. SiC жабыны жоғары сапалы, ақаусыз материалдың өсуін қамтамасыз ете отырып, газдармен химиялық әрекеттесуді болдырмайды.

SiC қапталған графитті вафельді тасымалдаушының артықшылықтары

1. Жетілдірілген төзімділік: SiC жабыны графит материалының тозуға төзімділігін арттырады, көп рет қолданғанда тозу қаупін азайтады.

2. Жоғары температура тұрақтылығы: Вафельді тасымалдаушы эпитаксиалды өсу пештерінде жиі кездесетін экстремалды температураларға шыдай алады, оның құрылымдық тұтастығын бұрылыссыз немесе жарылып кетпей сақтайды.

3. Жақсартылған кірістілік және процестің тиімділігі: пластиналар қауіпсіз және дәйекті түрде өңделуін қамтамасыз ете отырып, SiC қапталған графитті вафельді тасымалдаушы эпитаксиалды өсу процесінің жалпы өнімділігі мен тиімділігін арттыруға көмектеседі.

4. Теңшеу опциялары: Тасымалдаушыны әртүрлі эпитаксиалды реакторлардың ерекше қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін өлшемі мен конфигурациясы бойынша теңшеуге болады, бұл жартылай өткізгіш қолданбаларының кең ауқымы үшін икемділікті қамтамасыз етеді.

SemicorexSiC қапталған графитВафельді тасымалдаушы жартылай өткізгіштер өнеркәсібінің маңызды құрамдас бөлігі болып табылады, эпитаксиалды өсу процесі кезінде пластинаны өңдеу үшін оңтайлы шешімді қамтамасыз етеді. Термиялық тұрақтылықтың, химиялық төзімділіктің және механикалық беріктіктің үйлесімі арқылы ол жартылай өткізгіш пластиналарды дәл және сенімді өңдеуді қамтамасыз етеді, бұл эпитаксистік процестерде жоғары сапалы нәтижелер мен шығымдылықты арттырады. Кремний карбиді эпитаксисі немесе басқа жетілдірілген жартылай өткізгіш қолданбалар үшін болсын, бұл пластинаны тасымалдаушы заманауи жартылай өткізгіштер өндірісінің қатаң стандарттарына сәйкес келетін беріктік пен өнімділікті ұсынады.