Монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағыш

Графит эпитаксисі мен пластинаны өңдеу процесіне өте ыңғайлы, Semicorex ультра таза монокристалды кремний эпитаксиалды сіңіргіші аз ластануды қамтамасыз етеді және өте ұзақ қызмет мерзімін қамтамасыз етеді. Біздің өнімдер жақсы баға артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарды қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Semicorex монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағыш - жоғары тазартылған SiC-пен қапталған, жоғары жылу мен коррозияға төзімділігі бар графит өнімі. CVD кремний карбидімен қапталған тасымалдаушы жартылай өткізгіш пластиналардағы эпитаксиалды қабат түзетін процестерде қолданылады, ол жоғары жылу өткізгіштікке және тамаша жылу тарату қасиеттеріне ие.
Біздің монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағышымыз жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ламинарлы газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафельді чипте жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.
Біздің монокристалды кремний эпитаксиалды сусцепторымыз туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

Монокристалды кремний эпитаксиалды сенсорының параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC Î² фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	Î¼м	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Жіңішке күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Young's модулі	Gpa (4pt иілісі, 1300â)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300

Монокристалды кремний эпитаксиалды сусцепторының ерекшеліктері

- Графиттік негіз де, кремний карбиді қабаты да жақсы тығыздыққа ие және жоғары температура мен коррозиялық жұмыс орталарында жақсы қорғаныс рөлін атқара алады.
- Монокристалды өсіру үшін қолданылатын кремний карбидімен қапталған сенсордың бетінің тегістігі өте жоғары.
- Графиттік субстрат пен кремний карбиді қабаты арасындағы термиялық кеңею коэффициентіндегі айырмашылықты азайтыңыз, крекинг пен қабаттасуды болдырмау үшін байланыстыру беріктігін тиімді жақсартыңыз.
- Графиттік негіз де, кремний карбиді қабаты да жоғары жылу өткізгіштікке және тамаша жылу тарату қасиеттеріне ие.
- Жоғары балқу температурасы, жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі, коррозияға төзімділігі.