Монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағыш

Графит эпитаксисі мен пластинаны өңдеу процесіне мінсіз, Semicorex ультра таза монокристалды кремний эпитаксиалды сіңіргіші ең аз ластануды қамтамасыз етеді және өте ұзақ қызмет мерзімін қамтамасыз етеді. Біздің өнімдеріміз жақсы баға артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарды қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Semicorex монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағыш - жоғары тазартылған SiC-пен қапталған графит өнімі, ол жоғары ыстыққа және коррозияға төзімділікке ие. CVD кремний карбидімен қапталған тасымалдаушы жартылай өткізгіш пластиналардағы эпитаксиалды қабат түзетін процестерде қолданылады, ол жоғары жылу өткізгіштікке және тамаша жылу тарату қасиеттеріне ие.
Біздің монокристалды кремний эпитаксиалды қабылдағышымыз жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ламинарлы газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафли чипіндегі жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.
Біздің монокристалды кремний эпитаксиалды сусцепторымыз туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

Монокристалды кремний эпитаксиалды сусцепторының параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж кг-1 К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фелексальды күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300

Монокристалды кремний эпитаксиалды сусцепторының ерекшеліктері

- Графит субстраты да, кремний карбиді қабаты да жақсы тығыздыққа ие және жоғары температура мен коррозиялық жұмыс орталарында жақсы қорғаныс рөлін атқара алады.
- Монокристалды өсіру үшін қолданылатын кремний карбидімен қапталған сенсордың бетінің тегістігі өте жоғары.
- Графит субстраты мен кремний карбиді қабаты арасындағы термиялық кеңею коэффициентіндегі айырмашылықты азайтыңыз, крекинг пен қабаттасуды болдырмау үшін байланыс беріктігін тиімді жақсартыңыз.
- Графиттік негіз де, кремний карбиді қабаты да жоғары жылу өткізгіштікке және тамаша жылу тарату қасиеттеріне ие.
- Жоғары балқу температурасы, жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі, коррозияға төзімділігі.