Жартылай өткізгіш материалдың жұқа тілігі өте таза монокристалды материалдан тұратын вафли деп аталады. Чохральский процесінде балқымадан тұқымдық кристалды алу арқылы жоғары таза монокристалды жартылай өткізгіштің цилиндрлік құймасы жасалады.
Кремний карбиді (SiC) және оның политиптері ұзақ уақыт бойы адамзат өркениетінің бір бөлігі болды; бұл қатты және тұрақты қосылыстың техникалық қызығушылығын 1885 және 1892 жылдары Коулесс пен Ачесон ұнтақтау және кесу мақсатында жүзеге асырды, бұл оның кең ауқымда өндірісіне әкелді.
Тамаша физикалық және химиялық қасиеттері кремний карбидін (SiC) жоғары температура, жоғары қуатты және жоғары жиілікті және оптоэлектронды құрылғыларды, термоядролық реакторлардағы құрылымдық құрамдас бөлікті, газбен салқындату үшін қаптау материалын қоса алғанда, әртүрлі қолданбалар үшін көрнекті үміткер етеді. бөліну реакторлары және Pu трансмутациясына арналған инертті матрица. SiC-тің 3C, 6H және 4H сияқты әртүрлі политиптері кеңінен қолданылады. Ионды имплантациялау Si негізіндегі құрылғыларды өндіруге, p-типті және n-типті SiC пластинкаларын өндіруге арналған қоспаларды іріктеп енгізудің маңызды әдісі болып табылады.
Құймасодан кейін кремний карбиді SiC пластинкаларын қалыптастыру үшін кесіледі.
Кремний карбидінің материал қасиеттері
Политип |
Монокристалды 4H |
Кристалл құрылымы |
Алтыбұрышты |
Жолақ |
3,23 эВ |
Жылу өткізгіштік (n-түрі; 0,020 Ом-см) |
a~4,2 Вт/см ⢠K @ 298 К c~3,7 Вт/см ⢠K @ 298 К |
Жылу өткізгіштік (HPSI) |
a~4,9 Вт/см ⢠K @ 298 К c~3,9 Вт/см ⢠K @ 298 К |
Тор параметрлері |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
Mohs қаттылығы |
~9.2 |
Тығыздығы |
3,21 г/см3 |
Терм. Кеңейту коэффициенті |
4-5 x 10-6/Қ |
SiC пластинкаларының әртүрлі түрлері
Үш түрі бар:n-типті sic вафли, p-типті sic вафлижәнетазалығы жоғары жартылай оқшаулағыш sic пластинасы. Допинг кремний кристалына қоспаларды енгізетін иондық имплантацияны білдіреді. Бұл қоспалар кристалдың атомдарына иондық байланыстар құруға мүмкіндік береді, бұл бір кездері ішкі кристалды сыртқы етеді. Бұл процесс қоспалардың екі түрін енгізеді; N-түрі және P-түрі. Оның «түрі» химиялық реакцияны жасау үшін қолданылатын материалдарға байланысты болады. N-типті және P-типті SiC пластинасы арасындағы айырмашылық допинг кезінде химиялық реакцияны жасау үшін пайдаланылатын негізгі материал болып табылады. Қолданылатын материалға байланысты сыртқы орбитальда бес немесе үш электрон болады, олардың біреуі теріс зарядты (N-типті) және біреуі оң зарядты (P-типі).
N-типті SiC пластиналары негізінен жаңа энергетикалық көліктерде, жоғары вольтты беру және қосалқы станцияларда, ақ бұйымдарда, жүрдек пойыздарда, моторларда, фотоэлектрлік инверторларда, импульстік қуат көздерінде және т. жабдықтың сенімділігі, жабдықтың көлемін азайту және жабдықтың өнімділігін жақсарту және қуатты электронды құрылғыларды жасауда таптырмас артықшылықтарға ие.
Жоғары тазалықтағы жартылай оқшаулағыш SiC пластинасы негізінен жоғары қуатты РЖ құрылғыларының субстраты ретінде пайдаланылады.
Эпитаксия - III-V нитридтердің тұндыру
SiC субстратында немесе сапфир субстратында SiC, GaN, AlxGa1-xN және InyGa1-yN эпитаксиалды қабаттар.
Semicorex 3C-SiC пластинаның субстраты текше кристалы бар SiC-тен жасалған. Біз көптеген жылдар бойы жартылай өткізгіш пластиналарды өндіруші және жеткізуші болдық. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 4H және 6H SiC пластинкаларының әртүрлі түрлерін ұсынады. Біз көптеген жылдар бойы вафельді өндіруші және жеткізуші болдық. Біздің 8 дюймдік N-типті SiC вафли жақсы баға артықшылығына ие және еуропалық және американдық нарықтардың көпшілігін қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 4 дюйм, 6 дюйм және 8 дюймдік N-типті SiC құймасын қамтамасыз етеді. Біз көптеген жылдар бойы вафельді өндіруші және жеткізуші болдық. Біздің 4" 6" 8" N-типті SiC құймасының жақсы баға артықшылығы бар және еуропалық және американдық нарықтардың көпшілігін қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 4 дюйм және 6 дюймдік жоғары тазалықтағы жартылай оқшаулағыш SiC құймасын қамтамасыз етеді. Біз көптеген жылдар бойы вафельді өндіруші және жеткізуші болдық. Біздің 4" 6" жоғары таза жартылай оқшаулағыш SiC құймасы жақсы баға артықшылығына ие және еуропалық және американдық нарықтардың көпшілігін қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 4H және 6H SiC пластинкаларының әртүрлі түрлерін ұсынады. Біз көптеген жылдар бойы вафельді өндіруші және жеткізуші болдық. Біздің P-типті SiC субстрат пластинасы жақсы баға артықшылығына ие және еуропалық және американдық нарықтардың көпшілігін қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктес болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 4H және 6H SiC пластинкаларының әртүрлі түрлерін ұсынады. Біз көптеген жылдар бойы вафельді өндіруші және жеткізуші болдық. Біздің қос жылтыратылған 6 дюймдік N-типті SiC вафли жақсы баға артықшылығына ие және еуропалық және американдық нарықтардың көпшілігін қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберу