Semicorex CVD эпитаксиалды тұндыру бөшкелік реактор - бұл пластиналардағы эпиксиалды қабаттарды өсіруге арналған жоғары берік және сенімді өнім. Оның жоғары температурада тотығуға төзімділігі және жоғары тазалығы оны жартылай өткізгіш өнеркәсібінде қолдануға жарамды етеді. Оның біркелкі термиялық профилі, ламинарлы газ ағынының үлгісі және ластануды болдырмау оны эпиксиалды қабаттың жоғары сапалы өсуі үшін тамаша таңдау жасайды.
Біздің баррель реакторындағы CVD эпитаксиалды тұндыру - экстремалды ортада сенімді өнімділікті қамтамасыз етуге арналған жоғары өнімді өнім. Оның жабынның жоғары адгезиясы, жоғары температурада тотығуға төзімділігі және коррозияға төзімділігі оны қатал ортада пайдалану үшін тамаша таңдау жасайды. Сонымен қатар, оның біркелкі жылу профилі, ламинарлы газ ағынының үлгісі және ластануды болдырмау эпиксиалды қабаттың жоғары сапасын қамтамасыз етеді.
Semicorex-те біз өз тұтынушыларымызға жоғары сапалы, үнемді өнімдерді ұсынуға назар аударамыз. Біздің баррель реакторындағы CVD эпитаксиалды тұндыру бағаның артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарға экспортталады. Біз тұрақты сапалы өнімдер мен ерекше тұтынушыларға қызмет көрсететін ұзақ мерзімді серіктес болуды мақсат етеміз.
Бөшке реакторындағы CVD эпитаксиалды тұндыру параметрлері
CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары |
||
SiC-CVD қасиеттері |
||
Кристалл құрылымы |
FCC β фазасы |
|
Тығыздығы |
г/см³ |
3.21 |
Қаттылық |
Викерс қаттылығы |
2500 |
Астық мөлшері |
μм |
2~10 |
Химиялық тазалық |
% |
99.99995 |
Жылу сыйымдылығы |
Дж·кг-1 ·К-1 |
640 |
Сублимация температурасы |
℃ |
2700 |
Жіңішке күш |
МПа (RT 4-нүкте) |
415 |
Young's модулі |
Gpa (4pt иілісі, 1300â) |
430 |
Термиялық кеңею (C.T.E) |
10-6К-1 |
4.5 |
Жылу өткізгіштік |
(Вт/мК) |
300 |
Бөшке реакторында CVD эпитаксиалды тұндыру ерекшеліктері
- Графиттік негіз де, кремний карбиді қабаты да жақсы тығыздыққа ие және жоғары температура мен коррозиялық жұмыс орталарында жақсы қорғаныс рөлін атқара алады.
- Монокристалды өсіру үшін қолданылатын кремний карбидімен қапталған сенсордың бетінің тегістігі өте жоғары.
- Графиттік субстрат пен кремний карбиді қабаты арасындағы термиялық кеңею коэффициентіндегі айырмашылықты азайтыңыз, крекинг пен қабаттасуды болдырмау үшін байланыстыру беріктігін тиімді жақсартыңыз.
- Графиттік негіз де, кремний карбиді қабаты да жоғары жылу өткізгіштікке және тамаша жылу тарату қасиеттеріне ие.
- Жоғары балқу температурасы, жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі, коррозияға төзімділігі.