Кеуекті графит тигель

Кеуекті графит тигель кремний карбидінің (SiC) монокристалының өсу процесінде маңызды рөл атқарады, жартылай өткізгіштерді өндірудегі маңызды қадам. Бұл арнайы тигель экстремалды температура мен қатал химиялық ортаға төтеп беруге арналған, бұл оны SiC кристалының өсуіне қатысатын жоғары температуралық реакциялар үшін тамаша контейнерге айналдырады.

Тигель әдетте тамаша жылу өткізгіштігімен, химиялық инерттілігімен және механикалық беріктігімен танымал жоғары таза графит материалынан жасалады. «Кеуекті» термині кристалдың өсу процесі кезінде газдар мен сұйықтықтардың бақыланатын ағынын қамтамасыз ететін графит ішінде өткізгіш құрылымды әдейі жасауды білдіреді.

SiC монокристалды өсу процесі жоғары температуралы пеште кремний мен көміртекті бастапқы материалдарды сублимациялауды қамтиды. Кеуекті графит тигель осы бастапқы материалдарға арналған контейнер рөлін атқарады, бұл кристалдардың өсуі үшін тұрақты және бақыланатын ортаны қамтамасыз етеді. Оның кеуекті құрылымы прекурсорлық газдарды тиімді тасымалдауға мүмкіндік береді және өсу процесінде пайда болатын жанама өнімдерді кетіруді жеңілдетеді.

Тигельдің тұрақтылықты сақтау және экстремалды жағдайларға төтеп беру қабілеті жартылай өткізгіш құрылғылар өндірісінің ажырамас бөлігі болып табылатын жоғары сапалы SiC монокристалдарына қол жеткізу үшін өте маңызды. Тигельдің кеуектілігі үлкен және жоғары сапалы SiC кристалдарының біркелкі өсуіне ықпал ететін газ ағыны мен жылуды бөлуді оңтайландыруға көмектеседі.