Жоғары таза графит ұнтағы

Semicorex Жоғары тазалықграфитұнтақ жартылай өткізгіш өнеркәсібінде маңызды материал болып табылады. Ерекше тазалық деңгейлері және жоғары физикалық және химиялық қасиеттері бар бұл материал қатаң өнімділік стандарттарын талап ететін қолданбалар үшін таптырмас материал болып табылады.

Негізгі мүмкіндіктер

• Ерекше тазалық: Жоғары таза графит ұнтағы әдетте кристалдың өсу процесінде ең аз ластануды қамтамасыз ете отырып, көміртегінің мазмұнын 99,9%-дан асады. Бұл тазалық деңгейі жартылай өткізгіш пластинаның тұтастығы мен сапасын сақтау үшін өте маңызды.
• Тамаша жылу өткізгіштік: Материалдың жоғары жылу өткізгіштігі жартылай өткізгіш кристалдар үшін бақыланатын өсу ортасын сақтауда маңызды болып табылатын жылуды біркелкі бөлуге мүмкіндік береді.
• Жоғары температураға төзімділік: Жоғары таза графит ұнтағы экстремалды температураға деградациясыз төтеп бере алады, бұл оны жартылай өткізгіш өндірісінде қолданылатын жоғары температуралы пештер үшін өте қолайлы етеді.
• Химиялық тұрақтылық: Оның химиялық реакцияларға төзімділігі жоғары температура мен реактивті ортаны қоса алғанда, қатал жағдайларға ұзақ әсер ету кезінде беріктік пен сенімділікті қамтамасыз етеді.
• Бөлшектердің теңшелетін өлшемі: Бөлшектердің әртүрлі өлшемдерінде қол жетімді, ұнтақ әртүрлі жартылай өткізгіш кристалдардың өсу процестерінің нақты қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін бейімделуі мүмкін.

Жартылай өткізгішті кристалды өсірудегі қолданбалар

1. SiC кристалының өсуі:

Тазалығы жоғары графит ұнтағы кремний карбидінің (SiC) кристалын өсіруде кеңінен қолданылады, бұл жетілдірілген жартылай өткізгіш құрылғыларды өндіру үшін маңызды процесс. Ұнтақ жоғары сапалы SiC кристалдарының өсуін қолдайтын тигельдер мен оқшаулағыш материалдар сияқты кеуекті графит компоненттерін өндіруде қолданылады. Оның жоғары тазалығы қоспаларды азайтады, осылайша алынған кристалдардың электрлік және жылулық қасиеттерін жақсартады.

2. Фотоэлектрлік кремний кристалының өсуі:

Фотоэлектрлік өнеркәсіпте жоғары таза графит ұнтағы монокристалды және поликристалды кремнийді өсіруге арналған компоненттерді өндіруде қолданылады. Қалыптар мен жылытқыштар сияқты бұл компоненттер күн батареяларына арналған кремний пластинкаларын өндіруде тұрақты сапа мен өнімділікті қамтамасыз етеді.

3. Эпитаксиалды қабаттың тұнбасы:

Материал сонымен қатар жартылай өткізгіш материалдың қабаттарын өсіру үшін нақты жылу және химиялық жағдайлар қажет болатын эпитаксиялық процестердің ажырамас бөлігі болып табылады. Тазалығы жоғары графит ұнтағы ерекше термиялық және химиялық өнімділікті қажет ететін сезгіштер сияқты эпитаксия компоненттерін өндіруге ықпал етеді.

4. Графит негізіндегі жылу оқшаулау:

Кристалдардың өсуі үшін пайдаланылатын жоғары температуралы пештерде графит ұнтағы тұрақты жылу ортасын сақтайтын оқшаулағыш материалдарды жасау үшін қолданылады. Бұл процесс тиімділігін арттырады және өсірілген кристалдардың біркелкілігін қамтамасыз етеді.

Semicorex жоғары тазалығыграфитұнтақ өзінің теңдесі жоқ сапасы мен қолдануға негізделген дизайнымен ерекшеленеді. Біздің қатаң өндірістік процестеріміз жартылай өткізгіштер өнеркәсібінің қатаң талаптарын қанағаттандыру үшін тұрақтылықты, жоғары тазалықты және арнайы спецификацияларды қамтамасыз етеді.

Semicorex Жоғары таза графит ұнтағы - жартылай өткізгіш кристалды өсіретін іргетас материалы, талап етілетін қолданбаларда теңдесі жоқ өнімділікті ұсынады. Оның ерекше термиялық, химиялық және құрылымдық қасиеттері жетілдірілген жартылай өткізгіш құрылғыларды сәтті өндіруді қамтамасыз етеді. Инновациялар мен сапаға деген ұмтылысымен Semicorex жартылай өткізгіш процестерде жоғары деңгейге жетуді мақсат ететін өндірушілер үшін сенімді шешім ұсынады.