Әйелдермен қапталған графит крест

Жоғары температуралы кристаллдың өсу пештерінің ортасында орнатылған,SIC жабындыГрафит крестрлері жылытқыштармен, жылу оқшаулағыш жеңдермен, ағынды бақылау түтіктерімен, ағындық бағыттағы, ағынды аяқтармен және толық жылу жүйесін қалыптастыру үшін жұмыс істейді. Бұл жылу өрісінің жүйесі кристаллдың өсуі үшін қажет тұрақты жоғары температуралық ортаға ие бола алады.

Жоғары температуралы кристаллдың өсу пештерінің ортасында орнатылған,Графитті крестӘдетте химиялық бумен тұндыру технологиясын біркелкі етіп орналастырудан басталадыкремний карбидіқалыптасқан графит субстратының бетіне жабыңыз. Жоғары тазалықтан тұрадыграфигіСубстрат және тығыз кремний карбидінің жабыны, Sic-қапталған графитті графит түзететін синергетикалық құрылым, ол графиттің жылу өткізгіштігін кремний карбидінің коррозияға төзімділігін үйлестіреді.

Czochralski әдісі - бұл кристалл өсудің әмбебап индустриалды әдісі. Бұл әдіс центрифугациялық күштерді кристалл өндірісі кезінде кристалды өндірісте береді. Жоғары жылдамдықты графитті креслоттың керемет күші мен қаттылығы жоғары жылдамдықты айналу кезінде сынудың алдын алады, бұл жоғары жылдамдықты айналу кезінде сынудың алдын алады, бұл өндірістік үзілістерді азайтады. Сонымен қатар, бұл процесс кезінде қысқа уақыттағы температура ауытқулары қажет. Олардың керемет термиялық кедергісі үшін рахмет, SIC жабылған графитті крестке арналған кремшкалар жылу күйзелісіне байланысты құрылымдық зақымдарды азайтып, олардың пішінінің тұрақтылығын қамтамасыз ете алады, осылайша кристалды өсу ақауларын төмендетуі мүмкін.

Жоғары температурада, Sic-қапталған графитті кремсоның тығыз қорғаныс қабатын қалыптастырады. Бұл қорғаныс қабаты графит субстратын графит субстратын кремсон буынан және балқытылған кремнийден оқшаулай алады, осылайша графитті субстрат коррозиясын және кростальды ластану қаупін азайтады. Сондықтан, Semicorex-тің SIC жабылған графиті айқышқылар нақты жұмыс істеп тұрған ұзақ мерзімді коррозияға төтеп бере алады. Бұл дәйекті кристалл композициясын қамтамасыз етеді және олардың екеуі де жоғары сапалы жартылай өткізгіш кристалдар өндірісі үшін қажет ақаулардың мөлшерін азайтады.