PBN креслосы

Subicorex Pyrolytic боры Нитрид PBN крестілері - бұл жоғары температуралы және ультра-таза процестердің қатаң қажеттіліктерін қанағаттандыруға арналған дәл, инженерлік компоненттер, сонымен қатар жартылай өткізгіштер өндірісі, кристалл өсуі және вакуумдық қосымшалар. Химиялық будың тұндыруы (CVD) процесі арқылы жасалған PBN дағдарыстары жоғары тазалық, ерекше жылу тұрақтылығы және көрнекті химиялық инерстерді ұсынады, олар оларды озық материалдарды жасауда таңдау материалын жасайды.

Борон Нитридтің кварцпен салыстырылатын жылу кеңею коэффициенті болғандықтан, оның жылу өткізгіштігі 10 есе, бірақ оның жылу температурасы 10 есе, ол тез температураның тез өзгеруіне байланысты крекинг қаупін азайтады және оны бірнеше рет, ешқандай проблемасыз. Сонымен қатар, бор нитриді қышқылдармен, сілтілермен, әйнектермен және металдарға реакция жасамайды және механикалық беріктікке ие емес, графиттен сәл жоғары, бірақ жоғары температурада, бірақ жоғары температурада жұмсартпайды және оны жалпы металл өңдеу машиналарымен өңдеуге болмайды. Сондықтан, бұл металды ерітіп, булануға арналған болат құбыры үшін кресли, кеме, сұйық металды жеткізу құбыры және қалыптау үшін өте қолайлы.

Әдетте ол шикізат ретінде бор бар газды (BCL3 немесе B2H6) көмегімен химиялық бумен тұндыру арқылы жүзеге асырылады, бірақ B2H6 өте улы болғандықтан, қазіргі уақытта BCL3 шикізат ретінде қолданылады. Құрамында бор бар газ пиролизге ұшырайды (1500 ~ 1800 ℃) және жоғары температуралы реакция камерасында NH3-мен реакция жасайды. Өйткені Пиролиз реакция кезінде пайда болғандықтан, ол да аталадыпиролитикалық бор нитридіАйқындықтан (жиі белгілі PBN дағдарысы ретінде белгілі).

Материалдың өсу процесі «қар жауып тұр», яғни, реакцияда өскен бектонгель сноубордтары үнемі қыздырылған графит субстратына (ядро) жиналады. Уақыт өткен сайын, жинақтау қабаты PBN қабығын қалыптастырады. Түсіну - бұл тәуелсіз, таза PBN компоненті, және PBN жабыны сол жақта қалды. PBN дағдарысының дәстүрлі ыстықтай басу процесінен өтудің қажеті жоқ және вакуумдағы температурасы өте жоғары (99,99%), ал жұмыс температурасы 1800 градусқа жетеді, ал атмосфераны қорғау температурасы 2100 ° C дейін (әдетте азот немесе аргон) дейін жетеді. Ол көбінесе булану / молекулалық сәулелер эпитаксиінде (MBE) / GAAS Crystal өсуі және басқа да мақсаттарда қолданылады.