Өнімдер

SiC жабыны бар ICP сызу тасығышы
  • SiC жабыны бар ICP сызу тасығышыSiC жабыны бар ICP сызу тасығышы
  • SiC жабыны бар ICP сызу тасығышыSiC жабыны бар ICP сызу тасығышы
  • SiC жабыны бар ICP сызу тасығышыSiC жабыны бар ICP сызу тасығышы

SiC жабыны бар ICP сызу тасығышы

Semicorex SiC қапталған ICP Эттинг тасымалдаушысы Қытайда жоғары жылу және коррозияға төзімділігі бар эпитаксистік жабдық үшін арнайы әзірленген. Біздің өнімдеріміз жақсы баға артықшылығына ие және көптеген еуропалық және американдық нарықтарды қамтиды. Біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Эпитаксия немесе MOCVD сияқты жұқа қабықша тұндыру фазаларында немесе ою сияқты вафельді өңдеуде қолданылатын вафельді тасымалдағыштар жоғары температура мен қатал химиялық тазалауға төзімді болуы керек. Semicorex жоғары таза SiC жабыны бар ICP Эттинг тасымалдаушысын қамтамасыз етеді, жоғары ыстыққа төзімділікті, эпи қабатының тұрақты қалыңдығы мен тұрақтылығы үшін біркелкі термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз етеді. Жұқа SiC кристалды жабыны таза, тегіс бетті қамтамасыз етеді, өңдеу үшін өте маңызды, өйткені таза пластиналар олардың бүкіл аймағының көптеген нүктелерінде қабылдағышпен байланысады.

Біздің SiC қапталған ICP сызу тасығышымыз жылу профилінің біркелкілігін қамтамасыз ететін ламинарлы газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізуге арналған. Бұл вафельді чипте жоғары сапалы эпитаксиалды өсуді қамтамасыз ете отырып, кез келген ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмауға көмектеседі.

Біздің SiC жабындысы бар ICP Эттинг тасымалдаушы туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.


SiC жабындысы бар ICP Эттинг тасымалдаушысының параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары

SiC-CVD қасиеттері

Кристалл құрылымы

FCC β фазасы

Тығыздығы

г/см³

3.21

Қаттылық

Викерс қаттылығы

2500

Астық мөлшері

μм

2~10

Химиялық тазалық

%

99.99995

Жылу сыйымдылығы

Дж·кг-1 ·К-1

640

Сублимация температурасы

2700

Жіңішке күш

МПа (RT 4-нүкте)

415

Young's модулі

Gpa (4pt иілісі, 1300â)

430

Термиялық кеңею (C.T.E)

10-6К-1

4.5

Жылу өткізгіштік

(Вт/мК)

300


Тазалығы жоғары SiC қапталған ICP Эттинг тасымалдаушысының ерекшеліктері

- Қабыршақтануға жол бермеңіз және барлық бетінде жабын болуын қамтамасыз етіңіз

Жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі: 1600°C дейін жоғары температурада тұрақты

Жоғары тазалық: жоғары температурада хлорлау жағдайында CVD химиялық бу тұндыру арқылы жасалған.

Коррозияға төзімділік: жоғары қаттылық, тығыз беті және ұсақ бөлшектер.

Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.

- Ламинарлық газ ағынының ең жақсы үлгісіне қол жеткізіңіз

- Жылу профилінің біркелкілігіне кепілдік

- Кез келген ластануды немесе қоспалардың таралуын болдырмаңыз




Hot Tags: SiC қапталған ICP сызу тасымалдаушысы, Қытай, өндірушілер, жеткізушілер, зауыт, теңшелген, жаппай, кеңейтілген, берік

Қатысты санат

Сұрау жіберу

Сұрауыңызды төмендегі формада қалдырыңыз. Біз сізге 24 сағат ішінде жауап береміз.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept