Индуктивті байланысқан плазма (ICP)

Semicorex компаниясының индуктивті қосылатын плазмаға (ICP) арналған кремний карбидімен қапталған сенсоры эпитакси және MOCVD сияқты жоғары температурада пластинаны өңдеу процестері үшін арнайы әзірленген. 1600°C дейінгі тұрақты, жоғары температурадағы тотығуға төзімділігімен біздің тасымалдаушылар біркелкі жылу профильдерін, ламинарлы газ ағынының үлгілерін қамтамасыз етеді және ластануды немесе қоспалардың таралуын болдырмайды.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Жоғары температура, қатал химиялық орталарға төтеп бере алатын вафельді тасымалдаушы керек пе? Semicorex компаниясының индуктивті байланысқан плазмаға (ICP) арналған кремний карбидімен қапталған сенсорынан басқаны іздемеңіз. Біздің тасымалдаушыларда жоғары ыстыққа төзімділікті, тіпті термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз ететін жұқа SiC кристалды жабыны бар.
Индуктивті байланысқан плазмаға (ICP) арналған SiC сенсоры туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

Индуктивті байланысқан плазмаға (ICP) сенсордың параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж кг-1 К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фелексальды күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300