TaC қапталған графит тигель

Semicorex тантал карбиді TaC қапталған графит тигелі ең талап етілетін «ыстық аймақтарда» тазалық пен тұрақтылықты қамтамасыз ететін соңғы қорғаныс тосқауылын қамтамасыз ету үшін жасалған. Кең жолақты (WBG) жартылай өткізгіштерді, әсіресе кремний карбиді (SiC) және галлий нитриді (GaN) өндірісінде өңдеу ортасы керемет агрессивті. Стандартты графит немесе тіпті SiC жабыны бар компоненттер 2000°C асатын температура мен коррозиялық бу фазалары әсер еткенде жиі істен шығады.

НеліктенTaC жабыныИндустрия алтын стандарты болып табылады

 Тантал карбиді – TaC қапталған графиттің негізгі материалы. Тигель адамға белгілі ең отқа төзімді материалдардың бірі, балқу температурасы шамамен 3,880°C. Химиялық бу тұндыру (CVD) арқылы жоғары сапалы графит субстратына тығыз, жоғары таза жабын ретінде қолданғанда, ол стандартты тигельді эпитаксиалды және кристалдық өсудің ең ауыр жағдайларына төтеп бере алатын жоғары өнімді ыдысқа айналдырады.

1. Сутегі мен аммиакқа теңдесі жоқ химиялық тұрақтылық

GaN MOCVD немесе SiC Epitaxy сияқты процестерде сутегі мен аммиактың болуы қорғалмаған графитті немесе тіпті кремний карбиді жабындарын тез жоюы мүмкін. TaC жоғары температурада бұл газдарға ерекше инертті. Бұл кристалдық ақаулар мен партияның істен шығуының негізгі себебі болып табылатын «көміртек шаңының» (көміртек бөлшектерінің технологиялық ағынға шығуын) болдырмайды.

2. PVT өсуі үшін жоғары термиялық тұрақтылық

Физикалық бу тасымалдау (PVT) үшін — SiC құймаларын өсірудің негізгі әдісі — жұмыс температурасы жиі 2200°C және 2500°C аралығында болады. Бұл деңгейлерде дәстүрлі SiC жабындары сублимациялана бастайды. Біздің TaC жабынымыз құрылымдық берік және химиялық тұрақты болып қалады, нәтижесінде алынған құймадағы микроқұбырлар мен дислокациялардың пайда болуын айтарлықтай азайтатын дәйекті өсу ортасын қамтамасыз етеді.

3. Дәлдік CTE сәйкестендіру және адгезия

Қаптау технологиясындағы ең үлкен қиындықтардың бірі термиялық цикл кезінде қабаттасудың (пилингтің) алдын алу болып табылады. Біздің меншікті CVD процессіміз тантал карбиді қабатының графиттік субстратпен химиялық байланысын қамтамасыз етеді. TaC қабатына сәйкес келетін термиялық кеңею коэффициенті (CTE) бар графит сорттарын таңдау арқылы біз тигельдің жүздеген жылдам қыздыру және салқындату циклдарына крекингсіз төтеп бере алатынына кепілдік береміз.

Келесі буын жартылай өткізгіштеріндегі негізгі қолданбалар

БіздіңTaC қапталғанГрафиттік тигель ерітінділері мыналар үшін арнайы әзірленген:

SiC құймасының өсуі (PVT): тұрақты C/Si қатынасын сақтау үшін тигель қабырғасымен кремнийге бай бу реакцияларын азайту.

GaN Epitaxy (MOCVD): аммиак тудыратын коррозиядан сезгіштер мен тигельдерді қорғайды, эпи-қабаттың ең жоғары электрлік қасиеттерін қамтамасыз етеді.

Жоғары температурада күйдіру: 1800°C жоғары температурада пластиналарды өңдеуге арналған таза, реактивті емес ыдыс ретінде қызмет етеді.

Ұзақ өмір сүру және ROI: бастапқы құннан тыс

Сатып алу топтары көбінесе TaC және SiC жабындарының құнын салыстырады. TaC жоғары алдын ала инвестицияны білдірсе де, оның жалпы иелену құны (TCO) жоғары температура қолданбаларында айтарлықтай жоғары.

Шығарылымның жоғарылауы: көміртегі қосындыларының аз болуы құймадағы «бастапқы сортты» пластинаның көптігін білдіреді.

Бөлшектердің ұзартылған қызмет ету мерзімі: Біздің TaC тигельдері әдетте PVT орталарында SiC-жабылған нұсқалардан 2-3x ұзарады.

Ластанудың азаюы: нөлге жуық газды шығару қуат құрылғыларында жоғары қозғалғыштық пен тасымалдаушы концентрациясының консистенциясына әкеледі.