SiC қапталған ICP компоненті

Semicorex компаниясының SiC қапталған ICP құрамдас бөлігі эпитакси және MOCVD сияқты жоғары температурада пластинаны өңдеу процестері үшін арнайы жасалған. Жұқа SiC кристалды жабыны бар біздің тасымалдаушылар жоғары ыстыққа төзімділікті, тіпті термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз етеді.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

Semicorex компаниясының SiC қапталған ICP компоненті жоғары температура мен химиялық төзімділікті қажет ететін пластинаны өңдеу процестері үшін ең жақсы таңдау болып табылады. Біздің тасымалдаушылар біркелкі жылу профильдерін, ламинарлы газ ағынының үлгілерін қамтамасыз етеді және тамаша SiC кристалының арқасында ластануды немесе қоспалардың диффузиясын болдырмайды. Жұқа SiC кристалды жабыны бар біздің тасымалдаушылар жоғары ыстыққа төзімділікті, тіпті термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз етеді.
Semicorex-те біз тұтынушыларға жоғары сапалы, үнемді өнімдерді ұсынуға назар аударамыз. Біздің SiC-жабылған ICP құрамдас бөлігінің бағалық артықшылығы бар және көптеген еуропалық және американдық нарықтарға экспортталады. Біз тұрақты сапалы өнімдер мен ерекше тұтынушыларға қызмет көрсететін ұзақ мерзімді серіктес болуды мақсат етеміз.
SiC қапталған ICP компоненті туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

SiC қапталған ICP компонентінің параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж кг-1 К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фелексальды күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300