ICP плазмалық сызу жүйесі

ICP Plasma Etching жүйесіне арналған Semicorex компаниясының SiC қапталған тасығышы эпитакси және MOCVD сияқты жоғары температурада пластинаны өңдеу процестері үшін сенімді және үнемді шешім болып табылады. Біздің тасымалдаушыларда жоғары ыстыққа төзімділікті, тіпті термиялық біркелкілікті және ұзақ химиялық төзімділікті қамтамасыз ететін жұқа SiC кристалды жабыны бар.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

ICP Plasma Etching жүйесіне арналған Semicorex компаниясының SiC қапталған тасымалдаушысы арқылы жоғары сапалы эпитаксия және MOCVD процестеріне қол жеткізіңіз. Біздің өнім жоғары жылу мен коррозияға төзімділікті ұсына отырып, осы процестер үшін арнайы жасалған. Біздің тамаша SiC кристалды жабынымыз вафлиді оңтайлы өңдеуге мүмкіндік беретін таза және тегіс бетті қамтамасыз етеді.
ICP Plasma Etching жүйесіне арналған SiC қапталған тасымалдауышымыз туралы көбірек білу үшін бүгін бізге хабарласыңыз.

ICP Plasma Eching жүйесіне арналған SiC қапталған тасымалдаушының параметрлері

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж кг-1 К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Жіңішке күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (C.T.E)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300