Өнеркәсіп жаңалықтары - Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd

SiC эпитаксисі

Эпитаксияның екі түрі бар: біртекті және гетерогенді. Әртүрлі қолданбаларға арналған ерекше кедергісі және басқа параметрлері бар SiC құрылғыларын өндіру үшін, субстрат өндірісті бастамас бұрын эпитаксияның шарттарына сай болуы керек. Эпитаксияның сапасы құрылғының жұмысына әсер етеді.

Ары қарай оқу

Құрғақ ою және дымқыл ою

In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......

Ары қарай оқу

SiC кристалдарындағы дислокация

SiC субстратта микроскопиялық ақаулар болуы мүмкін, мысалы, бұрандалы бұранданың дислокациясы (TSD), бұрандалы жиектердің дислокациясы (TED), негіз жазықтығының дислокациясы (BPD) және т.б. Бұл ақаулар атомдар деңгейіндегі атомдардың орналасуындағы ауытқулардан туындайды.

Ары қарай оқу

SiC кристалдарындағы ақаулар туралы - Micropipe

SiC субстратта микроскопиялық ақаулар болуы мүмкін, мысалы, бұрандалы бұранданың дислокациясы (TSD), бұрандалы жиектердің дислокациясы (TED), негіз жазықтығының дислокациясы (BPD) және т.б. Бұл ақаулар атомдар деңгейіндегі атомдардың орналасуындағы ауытқулардан туындайды. SiC кристалдарының макроско......

Ары қарай оқу

Неліктен сұйық фазалық эпитаксия әдісін таңдау керек?

PVT әдісімен салыстырғанда SiC өсірудің сұйық фазалық әдісі келесі артықшылықтарға ие:

Ары қарай оқу

Сұйық фаза эпитаксисі дегеніміз не?

Сұйық фазалық әдіс термодинамикалық тепе-теңдік шарттарына жақынырақ және SiC кристалдарын жақсырақ сапада өсіруге қабілетті.

Ары қарай оқу