Зерттеу нәтижелеріне сәйкес, TaC жабыны графит құрамдас бөлігінің қызмет ету мерзімін ұзарту, радиалды температураның біркелкілігін жақсарту, SiC сублимациясының стехиометриясын қолдау, қоспалардың миграциясын басу және энергия шығынын азайту үшін қорғаныс және оқшаулау қабаты ретінде әрекет ете ала......
Ары қарай оқуХимиялық бумен тұндыру CVD екі немесе одан да көп газ тәрізді шикізатты вакуумдық және жоғары температура жағдайында реакциялық камераға енгізуді білдіреді, мұнда газ тәрізді шикізат бір-бірімен әрекеттесіп, жаңа материал түзеді, ол пластинаның бетіне шөгеді.
Ары қарай оқу2027 жылға қарай күн фотоэлектрі (PV) әлемдегі ең үлкен орнатылған қуат ретінде көмірді басып озады. Күн PV-ның жиынтық орнатылған қуаты біздің болжамымыз бойынша үш есе дерлік өседі, осы кезеңде шамамен 1500 гигаватқа өседі және 2026 жылға қарай табиғи газдан және 2027 жылға қарай көмірден асып түс......
Ары қарай оқуSiC негізіндегі және Si негізіндегі GaN қолдану аймақтары қатаң түрде бөлінбеген. GaN-On-SiC құрылғыларында SiC субстратының құны салыстырмалы түрде жоғары және SiC ұзақ кристалды технологиясының жетілуіне байланысты құрылғының құны одан әрі төмендейді деп күтілуде және ол энергетикалық электроника ......
Ары қарай оқуТайваньның қуатты жартылай өткізгіштерді өндіру жөніндегі корпорациясы (PSMC) Жапонияда SBI Holdings компаниясымен бірлесе отырып, 300 мм вафли зауытын салу жоспарын жариялады. Бұл ынтымақтастықтың мақсаты Жапонияның отандық IC (интегралдық схема) жеткізу тізбегін күшейту болып табылады, әсіресе AI ......
Ары қарай оқу