- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Өнеркәсіп жаңалықтары
Кремний карбиді субстратының негізгі процесінің ағыны
Кремний карбидті субстрат екі элементтен, көміртегі мен кремнийден тұратын күрделі жартылай өткізгіш монокристалды материал болып табылады. Ол үлкен жолақ аралық, жоғары жылу өткізгіштік, жоғары сыни ыдырау өрісінің күші және жоғары электрондардың қанықтыру жылдамдығының сипаттамаларына ие.
Ары қарай оқу
Жартылай өткізгіштер өнеркәсібіндегі SiC субстраттарының және кристалдардың өсуінің маңызды рөлі
Кремний карбиді (SiC) өнеркәсіп тізбегінде субстрат жеткізушілері ең алдымен құнды бөлуге байланысты айтарлықтай левереджге ие. SiC субстраттары жалпы мәннің 47% құрайды, одан кейін 23% эпитаксиалды қабаттар, ал қалған 30% құрылғы дизайны мен өндірісі құрайды. Бұл инверттелген құн тізбегі субстрат п......
Ары қарай оқу
SiC және GaN электромобильдерде қолданылуы
SiC MOSFET - бұл жоғары қуат тығыздығын, жақсартылған тиімділікті және жоғары температурада төмен істен шығу жылдамдығын ұсынатын транзисторлар. SiC MOSFET-тің бұл артықшылықтары электр көліктеріне (EV) көптеген артықшылықтар береді, соның ішінде ұзақ жүру қашықтығы, жылдам зарядтау және ықтимал төм......
Ары қарай оқу
4-ші буын жартылай өткізгіштер Галлий оксиді/β-Ga2O3
Жартылай өткізгіш материалдардың бірінші буыны негізінен кремний (Si) және германий (Ge) арқылы ұсынылған, олар 1950 жылдары көтеріле бастады. Германий алғашқы күндері басым болды және негізінен төмен вольтты, төмен жиілікті, орташа қуатты транзисторлар мен фотодетекторларда қолданылды, бірақ оның ж......
Ары қарай оқу
Ақаусыз эпитаксиалды өсу және сәйкес келмейтін дислокациялар
Ақаусыз эпитаксиалды өсу бір кристалдық тордың екіншісіне дерлік бірдей тор константалары болған кезде орын алады. Интерфейс аймағындағы екі тордың тор учаскелері шамамен сәйкес келген кезде өсу орын алады, бұл тордың шағын сәйкессіздігімен (0,1%-дан аз) мүмкін. Бұл шамамен сәйкестік тіпті әрбір ато......
Ары қарай оқу
