- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Құрғақ ою және дымқыл ою
In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......
Ары қарай оқу
SiC кристалдарындағы дислокация
SiC субстратта микроскопиялық ақаулар болуы мүмкін, мысалы, бұрандалы бұранданың дислокациясы (TSD), бұрандалы жиектердің дислокациясы (TED), негіз жазықтығының дислокациясы (BPD) және т.б. Бұл ақаулар атомдар деңгейіндегі атомдардың орналасуындағы ауытқулардан туындайды.
Ары қарай оқу
SiC кристалдарындағы ақаулар туралы - Micropipe
SiC субстратта микроскопиялық ақаулар болуы мүмкін, мысалы, бұрандалы бұранданың дислокациясы (TSD), бұрандалы жиектердің дислокациясы (TED), негіз жазықтығының дислокациясы (BPD) және т.б. Бұл ақаулар атомдар деңгейіндегі атомдардың орналасуындағы ауытқулардан туындайды. SiC кристалдарының макроско......
Ары қарай оқу
TaC жабыны
Зерттеу нәтижелеріне сәйкес, TaC жабыны графит құрамдас бөлігінің қызмет ету мерзімін ұзарту, радиалды температураның біркелкілігін жақсарту, SiC сублимациясының стехиометриясын қолдау, қоспалардың миграциясын басу және энергия шығынын азайту үшін қорғаныс және оқшаулау қабаты ретінде әрекет ете ала......
Ары қарай оқу
