- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Жартылай өткізгіштер өндірісіндегі кремний эпитаксиалды қабаттары мен субстраттары
Қазіргі заманғы электроника, оптоэлектроника, микроэлектроника және ақпараттық технологиялар салаларында жартылай өткізгіш субстраттар мен эпитаксиалды технологиялар өте қажет. Олар өнімділігі жоғары, сенімділігі жоғары жартылай өткізгіш құрылғыларды өндіру үшін берік негіз береді. Технология алға ж......
Ары қарай оқу
EV индустриясындағы SiC артықшылықтары
Кең диапазонды (WBG) жартылай өткізгіш материал ретінде SiC-тің кеңірек энергетикалық айырмашылығы оған дәстүрлі Si-мен салыстырғанда жоғары жылу және электрондық қасиеттер береді. Бұл мүмкіндік қуат құрылғыларына жоғары температураларда, жиіліктерде және кернеулерде жұмыс істеуге мүмкіндік береді.
Ары қарай оқу
Сублимация SiC өсуіндегі допингтік бақылау
Кремний карбиді (SiC) тамаша электрлік және жылулық қасиеттеріне байланысты күштік электрониканы және жоғары жиілікті құрылғыларды өндіруде маңызды рөл атқарады. SiC кристалдарының сапасы мен қоспалау деңгейі құрылғының өнімділігіне тікелей әсер етеді, сондықтан допингті дәл бақылау SiC өсу процесін......
Ары қарай оқу
TaC қапталған графит компоненттерін қолдану
SiC және AlN монокристалдарын физикалық бу тасымалдау әдісімен (PVT) өсіру процесінде тигель, тұқымдық кристалды ұстағыш және бағыттаушы сақина сияқты компоненттер маңызды рөл атқарады. SiC дайындау процесі кезінде тұқым кристалы салыстырмалы түрде төмен температура аймағында орналасады, ал шикізат ......
Ары қарай оқу
