- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
AlN кристалын өсіру әдістері
AlN үшінші буынның жартылай өткізгіш материалы ретінде маңызды көк жарық және ультракүлгін жарық материалы ғана емес, сонымен қатар электронды құрылғылар мен интегралды схемалар үшін маңызды орауыш, диэлектрлік оқшаулау және оқшаулау материалы, әсіресе жоғары температура мен жоғары қуатты құрылғылар......
Ары қарай оқу
AlN кристалының өсуіне арналған TaC жабу тигелі
Жартылай өткізгіш материалдардың үшінші буыны AlN тікелей диапазонды жартылай өткізгішке жатады, оның өткізу қабілеті 6,2 эВ, жоғары жылу өткізгіштік, меншікті кедергі, бұзылу өрісінің күші, сондай-ақ тамаша химиялық және термиялық тұрақтылық, маңызды көк жарық, ультракүлгін материалдар ғана емес. ,......
Ары қарай оқу
Жартылай өткізгіш өнеркәсібіндегі тантал карбиді жабындары
Жоғары қуатты көк және ультракүлгін жарық диодтарын дамыту толық түсті LED теледидар дисплейлерін, сондай-ақ ақ жарық диодты автомобиль және тұрмыстық жарықтандыруды жасауға мүмкіндік берді. Бұл жарықдиодты шамдар MOCVD процесін пайдаланып CVD SiC қапталған графит сенсоры қолдайтын субстрат пластинк......
Ары қарай оқу
