Қалың, жоғары таза кремний карбиді (SiC) қабаттары, әдетте 1 мм-ден асатын, жартылай өткізгіштерді өндіру және аэроғарыштық технологияларды қоса алғанда, әртүрлі жоғары құнды қолданбаларда маңызды компоненттер болып табылады. Бұл мақалада негізгі технологиялық параметрлерді, материал сипаттамаларын ......
Ары қарай оқуБір кристалды кремний мен поликристалды кремнийдің әрқайсысының өзіндік бірегей артықшылықтары мен қолданылатын сценарийлері бар. Монокристалды кремний тамаша электрлік және механикалық қасиеттеріне байланысты өнімділігі жоғары электронды өнімдер мен микроэлектроника үшін жарамды. Поликристалды крем......
Ары қарай оқуВафельді дайындау процесінде екі негізгі буын бар: бірі - субстратты дайындау, екіншісі - эпитаксиалды процесті жүзеге асыру. Субстрат, жартылай өткізгішті монокристалды материалдан мұқият жасалған пластинаны жартылай өткізгіш құрылғыларды шығару үшін негіз ретінде тікелей пластинаны өндіру процесін......
Ары қарай оқуХимиялық буларды тұндыру (CVD) - әртүрлі субстраттарда жоғары сапалы, конформды жұқа қабықшаларды өндіру үшін жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде кеңінен қолданылатын әмбебап жұқа қабықпен тұндыру әдісі. Бұл процесс газ тәрізді прекурсорлардың қыздырылған субстрат бетіне химиялық реакцияларын қамтиды......
Ары қарай оқуКремний материалы белгілі бір жартылай өткізгіш электрлік қасиеттері мен физикалық тұрақтылығы бар қатты материал болып табылады және кейінгі интегралды схемаларды өндіру процесіне негізді қолдауды қамтамасыз етеді. Бұл кремний негізіндегі интегралды схемалар үшін негізгі материал. Әлемдегі жартылай......
Ары қарай оқуБұл мақалада кремний карбиді (SiC) қайықтарының жартылай өткізгіш өнеркәсібіндегі кварцтық қайықтарға қатысты қолданылуы мен болашақ траекториясы, әсіресе олардың күн батареяларын өндірудегі қолданылуына назар аударылады.
Ары қарай оқу