SiC және AlN монокристалдарын физикалық бу тасымалдау әдісімен (PVT) өсіру процесінде тигель, тұқымдық кристалды ұстағыш және бағыттаушы сақина сияқты компоненттер маңызды рөл атқарады. SiC дайындау процесі кезінде тұқым кристалы салыстырмалы түрде төмен температура аймағында орналасады, ал шикізат ......
Ары қарай оқуSiC субстрат материалы SiC чипінің өзегі болып табылады. Субстратты өндіру процесі: монокристалды өсу арқылы SiC кристалды құйманы алғаннан кейін; содан кейін SiC субстратын дайындау үшін тегістеу, дөңгелектеу, кесу, ұнтақтау (жұқарту) қажет; механикалық жылтырату, химиялық механикалық жылтырату; жә......
Ары қарай оқуЖақында біздің компания 6 дюймдік галлий оксиді монокристалды субстратты дайындау технологиясын игерген алғашқы отандық индустрияланған компания болып, құю әдісін қолдана отырып, 6 дюймдік Галлий оксиді монокристалын сәтті жасағанын хабарлады.
Ары қарай оқуКремний карбиді (SiC) - бұл әдеттегі материалдардың қасиеттерінен асып түсетін ерекше термиялық, физикалық және химиялық тұрақтылыққа ие материал. Оның жылу өткізгіштігі таңғаларлық 84 Вт/(м·К), ол тек мыстан ғана емес, кремнийден де үш есе жоғары. Бұл оның термиялық басқару қолданбаларында пайдалан......
Ары қарай оқуЖартылай өткізгіштер өндірісінің қарқынды дамып келе жатқан саласында, тіпті ең кішкентай жақсартулар оңтайлы өнімділікке, ұзақ мерзімділікке және тиімділікке қол жеткізуге келгенде үлкен айырмашылықты жасай алады. Өнеркәсіпте көптеген шуыл тудыратын жетістіктердің бірі - графит беттеріне TaC (танта......
Ары қарай оқу