Жартылай өткізгіш пластинка дегеніміз не?
Жартылай өткізгішті пластиналар - интегралдық схемаларды (IC) және басқа электрондық құрылғыларды жасау үшін негіз ретінде қызмет ететін жартылай өткізгіш материалдың жұқа, дөңгелек тілігі. Вафли әртүрлі электронды құрамдас бөліктер салынған тегіс және біркелкі бетті қамтамасыз етеді.
Вафельді өндіру процесі бірнеше қадамдарды қамтиды, соның ішінде қалаған жартылай өткізгіш материалдың үлкен бір кристалын өсіру, кристалды алмаз арамен жұқа пластинкаларға кесу, содан кейін кез келген бет ақауларын немесе қоспаларды жою үшін пластиналарды жылтырату және тазалау. Алынған пластиналар өте тегіс және тегіс бетке ие, бұл кейінгі дайындау процестері үшін өте маңызды.
Пластиналар дайындалғаннан кейін олар электронды компоненттерді құруға қажетті күрделі үлгілер мен қабаттарды жасау үшін фотолитография, өрнектеу, тұндыру және допинг сияқты жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінен өтеді. Бұл процестер бірнеше интегралды схемаларды немесе басқа құрылғыларды жасау үшін бір пластинада бірнеше рет қайталанады.
Дайындау процесі аяқталғаннан кейін жеке чиптер вафлиді алдын ала анықталған сызықтар бойымен кесу арқылы бөлінеді. Содан кейін бөлінген чиптер оларды қорғау және электрондық құрылғыларға біріктіру үшін электр қосылымдарын қамтамасыз ету үшін оралған.
Вафлидегі әртүрлі материалдар
Жартылай өткізгішті пластиналар, ең алдымен, оның көптігі, тамаша электрлік қасиеттері және стандартты жартылай өткізгіштерді өндіру процестерімен үйлесімділігі арқасында бір кристалды кремнийден жасалған. Дегенмен, арнайы қолданбалар мен талаптарға байланысты, пластиналарды жасау үшін басқа материалдар да пайдаланылуы мүмкін. Міне, кейбір мысалдар:
Кремний карбиді (SiC): SiC – тамаша жылу өткізгіштігімен және жоғары температуралық өнімділігімен танымал кең жолақты жартылай өткізгіш материал. SiC пластиналары қуатты түрлендіргіштер, инверторлар және электрлік көлік компоненттері сияқты жоғары қуатты электронды құрылғыларда қолданылады.
Галлий нитриді (GaN): GaN – қуатты өңдеудің ерекше мүмкіндіктері бар кең жолақты жартылай өткізгіш материал. GaN пластиналары қуатты электронды құрылғылар, жоғары жиілікті күшейткіштер және жарық диодтары (жарық диодтары) өндірісінде қолданылады.
Галлий арсениді (GaAs): GaAs - пластиналар үшін, әсіресе жоғары жиілікті және жоғары жылдамдықты қолданбаларда қолданылатын тағы бір кең таралған материал. GaAs пластиналары RF (радио жиілік) және микротолқынды құрылғылар сияқты белгілі бір электрондық құрылғылар үшін жақсы өнімділікті ұсынады.
Индий фосфиді (InP): InP - тамаша электронды қозғалғыштығы бар материал және жиі лазерлер, фотодетекторлар және жоғары жылдамдықты транзисторлар сияқты оптоэлектрондық құрылғыларда қолданылады. InP пластиналары талшықты-оптикалық байланыс, спутниктік байланыс және жоғары жылдамдықты деректерді берудегі қолданбаларға жарамды.
Жартылай өткізгіш инновацияларының алдыңғы қатарындағы революциялық материал болып табылатын Ga2O3 субстратымызбен жартылай өткізгіштерді қолданудың озық мүмкіндіктерін ашыңыз. Ga2O3, төртінші буындағы кең жолақты жартылай өткізгіш, қуат құрылғысының өнімділігі мен сенімділігін қайта анықтайтын теңдесі жоқ сипаттарды көрсетеді.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex 850 В жоғары қуатты GaN-on-Si Epi Wafer береді. HMET қуат құрылғыларына арналған басқа субстраттармен салыстырғанда, 850 В жоғары қуатты GaN-on-Si Epi Wafer үлкен өлшемдерге және көбірек әртараптандырылған қолданбаларға мүмкіндік береді және негізгі зауыттардың кремний негізіндегі чипіне жылдам енгізілуі мүмкін. Semicorex сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады, біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSi эпитаксисі жартылай өткізгіштер өнеркәсібіндегі шешуші әдіс болып табылады, өйткені ол әртүрлі электронды және оптоэлектрондық құрылғыларға арналған қасиеттері бар жоғары сапалы кремний пленкаларын өндіруге мүмкіндік береді. . Semicorex сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады, біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex Si/SiC/GaN субстраттарында HEMT (Галлий нитриді) GaN эпитаксиясының арнайы жұқа қабықшасын қамтамасыз етеді. Semicorex сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады, біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSemicorex кремний карбиді құрылғыларын жасау үшін субстраттардағы арнайы жұқа қабықшаны (кремний карбиді) SiC эпитаксиясын қамтамасыз етеді. Semicorex сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады, біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберуSiN Ceramics Plain Substrates – термиялық тұрақтылығымен, механикалық беріктігімен, электр оқшаулауымен, коррозияға төзімділігімен және диэлектрлік қасиеттерімен танымал жоғары өнімді материал. Semicorex сапалы өнімдерді бәсекеге қабілетті бағамен қамтамасыз етуге ұмтылады, біз сіздің Қытайдағы ұзақ мерзімді серіктесіңіз болуды асыға күтеміз.
Ары қарай оқуСұрау жіберу