- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
SiC вафлиді дайындау процесіне қысқаша кіріспе
Жартылай өткізгіштердің озық өнеркәсібіндегі таптырмайтын субстрат материалы ретінде кремний карбидті пластиналар жоғары температурада, жоғары жиілікті, жоғары қуатты және радиацияға төзімді интеграцияланған электронды құрылғыларда кең қолдану перспективаларымен мақтана отырып, тамаша жылу және элек......
Ары қарай оқу
Көміртекті талшықты жылу оқшаулағыш материал
Жұмсақ киіз бен қатты/қатты киіздің үйлесімі негізінен үш нәрсені теңестіруді қамтиды: жылу өткізгіштік (қатты/газ фазасы), радиациялық жылу беру және құрылым мен құрастыру. Тек бір көрсеткішке (мысалы, ең төменгі жоғары температуралық жылу өткізгіштік) назар аудару әдетте беріктік, өлшемдік тұрақты......
Ары қарай оқу
Кремний карбиді керамикасының қасиеттері мен жартылай өткізгіштік қолданылуы
Кремний карбиді керамика - бұл негізінен көміртек пен кремнийден тұратын жетілдірілген керамикалық материал. Керемет өнімділік сипаттамаларына ие кремний карбиді керамика механикалық өңдеу, жартылай өткізгіштер өндірісі, әскери өнеркәсіп және аэроғарыштық техниканы қоса алғанда, жоғары деңгейлі сала......
Ары қарай оқу
Эпитаксия мен CVD арасындағы айырмашылықтар қандай
Чиптерді өндірудің жұқа қабықпен тұндыру процесінде екі технология жиі бірге айтылады, бірақ олар түбегейлі ерекшеленеді - эпитакси және химиялық бу тұндыру. Олар немере ағалары сияқты, екеуі де «будың өсуі» отбасына жатады, бірақ ерекше сипаттамалары мен күшті жақтары бар. Кейде, олар анық бөлек; б......
Ары қарай оқу
Жартылай өткізгішті CVD SiC процесінің технологиясы
Химиялық буларды тұндыру (CVD) SiC технологиялық технологиясы субстрат пластиналарындағы жоғары тазалықтағы кремний карбиді қабаттарының дәл эпитаксиалды өсуіне мүмкіндік беретін өнімділігі жоғары қуат электроникасын өндіру үшін өте маңызды. SiC кең диапазоны мен жоғары жылу өткізгіштігін пайдалана ......
Ары қарай оқу
