> Жаңалықтар

Жаңалықтар

Infineon әлемдегі алғашқы 300 мм қуатты GaN вафлиін ашты

Жақында Infineon Technologies әлемдегі алғашқы 300 мм қуатты галлий нитриді (GaN) пластинка технологиясының сәтті дамығанын жариялады.

Ары қарай оқу

Монокристалды кремний өндірісі

Монокристалды кремний өндірісінде қолданылатын үш негізгі әдіс: Чохральский (CZ) әдісі, Киропулос әдісі және қалқымалы аймақ (FZ) әдісі.

Ары қарай оқу

Жартылай өткізгішті өңдеудегі тотығу

Тотығу процестері вафлиде әртүрлі химиялық заттар арасындағы тосқауыл ретінде әрекет ететін оксид қабаты деп аталатын қорғаныс қабатын жасау арқылы мұндай проблемалардың алдын алуда маңызды рөл атқарады.

Ары қарай оқу

Жартылай өткізгіштер мен фотоэлектрлік секторлардағы SiC керамикасының қолданылуы мен даму перспективаларын талдау

Кремний карбиді (SiC) маңызды жоғары сапалы керамикалық материал ретінде жоғары температураға төзімділік, коррозияға төзімділік, тозуға төзімділік, жоғары температурадағы механикалық беріктік және тотығуға төзімділік сияқты тамаша қасиеттерге ие. Бұл қасиеттер оны жартылай өткізгіштер, ядролық энерг......

Ары қарай оқу

Неліктен SiC керамикалық дайындау үшін қысымсыз агломерацияны таңдау керек?

Синтездің өте жоғары температурасы және SiC керамикасының тығыз агломерациясына қол жеткізудің қиындығы олардың дамуын шектеді. SiC керамика үшін агломерация процесі өте маңызды.

Ары қарай оқу

Кремний нитриді дегеніміз не

Кремний нитриді (Si3N4) озық жоғары температуралы құрылымдық керамика жасаудағы негізгі материал болып табылады.

Ары қарай оқу

<...3 4 5 6 7...30 >