- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Графиттік қайықтың негізгі технологиясын енгізу
Graphite Boat өнімділікті, тазалықты және қызмет ету мерзімін арттыруға арналған жаңашыл жетістіктер жиынтығын қамтитын өз өнеркәсібіндегі технологиялық инновациялардың алдыңғы қатарында. Төменде біз графиттік қайықтың тамашалығын анықтайтын негізгі технологияларды қарастырамыз:
Ары қарай оқу
PVT әдісімен жоғары сапалы SiC кристалының өсуіне арналған кеуекті графит
Кремний карбиді (SiC) жартылай өткізгіштер технологиясы саласындағы негізгі материал ретінде пайда болды, оны әртүрлі электронды және оптоэлектрондық қолданбалар үшін өте қажет ететін ерекше қасиеттерді ұсынады. Жоғары сапалы SiC монокристалдарын өндіру қуат электроникасы, жарықдиодты шамдар және жо......
Ары қарай оқу
Графитті қалыптаудың 3 әдісі
Графитті қалыптау үшін төрт негізгі қалыптау әдісі: экструзия қалыптау, қалыптау, дірілдеу және изостатикалық қалыптау. Нарықтағы қарапайым көміртекті/графиттік материалдардың көпшілігі ыстық экструзия және қалыптау (суық немесе ыстық) арқылы қалыптасады, ал изостатикалық қалыптау - қалыптаудың жете......
Ары қарай оқу
Изостатикалық графит дегеніміз не?
Арнайы графит - көміртегі массалық үлесі 99,99% -дан асатын графит, сонымен қатар «үш жоғары графит» (жоғары беріктік, жоғары тығыздық, жоғары тазалық) ретінде белгілі. Ол жоғары беріктігімен, жоғары тығыздығымен, жоғары тазалығымен, жоғары химиялық тұрақтылығымен, жоғары жылу және электр өткізгішті......
Ары қарай оқу
Физикалық бу тасымалдауды (PVT) енгізу
SiC-тің өзіндік сипаттамалары оның монокристалды өсуін қиындатады. Атмосфералық қысымда Si:C=1:1 сұйық фазасының болмауына байланысты жартылай өткізгіш өнеркәсібінің негізгі ағыны қабылдаған неғұрлым жетілген өсу процесі неғұрлым жетілген өсу әдісін өсіру үшін пайдаланыла алмайды - түзу тарту әдісі,......
Ары қарай оқу
850 В жоғары қуатты GaN HEMT эпитаксиалды өнімдері шығарылды
2023 жылдың қарашасында Semicorex жоғары вольтты, жоғары ток HEMT қуат құрылғыларын қолдану үшін 850V GaN-on-Si эпитаксиалды өнімдерін шығарды. HMET қуат құрылғыларына арналған басқа субстраттармен салыстырғанда, GaN-on-Si пластинаның үлкен өлшемдерін және әртараптандырылған қолданбаларды қамтамасыз......
Ары қарай оқу
