Кремний карбиді (SiC) қуат құрылғылары кремний карбидті материалдардан жасалған жартылай өткізгіш құрылғылар болып табылады, олар негізінен жоғары жиілікті, жоғары температурада, жоғары вольтты және жоғары қуатты электронды қосымшаларда қолданылады. Дәстүрлі кремний (Si) негізіндегі қуат құрылғылары......
Ары қарай оқуКремний карбидінің (SiC) тарихы 1891 жылы Эдвард Гудрих Ачесон оны жасанды алмастарды синтездеу әрекеті кезінде кездейсоқ тауып алған кезден басталады. Ачесон саз (алюмосиликат) және ұнтақ кокс (көміртек) қоспасын электр пешінде қыздырды. Күтілетін гауһар тастардың орнына ол көміртегіге жабысатын аш......
Ары қарай оқуҮшінші буындағы жартылай өткізгіш материал ретінде галлий нитриді кремний карбидімен жиі салыстырылады. Галлий нитриді әлі күнге дейін өзінің үлкен жолағымен, жоғары бұзылу кернеуімен, жоғары жылу өткізгіштігімен, қаныққан электрондардың қозғалу жылдамдығымен және күшті сәулеленуге төзімділігімен өз......
Ары қарай оқуGaN материалдары көгілдір жарықдиодтар үшін физика бойынша 2014 жылғы Нобель сыйлығының берілуінен кейін танымал болды. Бастапқыда тұрмыстық электроникадағы жылдам зарядтау қолданбалары арқылы көпшілік назарына ілінген GaN негізіндегі қуат күшейткіштері мен RF құрылғылары да 5G базалық станцияларыны......
Ары қарай оқуЖартылай өткізгіштер технологиясы мен микроэлектроника салаларында субстраттар мен эпитаксия ұғымдары маңызды мәнге ие. Олар жартылай өткізгіш құрылғыларды өндіру процесінде маңызды рөл атқарады. Бұл мақалада жартылай өткізгіш субстраттар мен эпитаксияның арасындағы айырмашылықтар қарастырылады, ола......
Ары қарай оқу