- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Жаңалықтар
Құрғақ оюдың және дымқыл оюдың жақсы және жаман жақтары қандай?
Эттинг - жартылай өткізгіштерді өндірудегі маңызды процесс. Бұл процесті екі түрге бөлуге болады: құрғақ ою және дымқыл ою. Әрбір техниканың өзіндік артықшылықтары мен шектеулері бар, бұл олардың арасындағы айырмашылықтарды түсінуді өте маңызды етеді. Сонымен, ең жақсы ою әдісін қалай таңдауға болад......
Ары қарай оқу
SiC өсуіне арналған негізгі материал: тантал карбиді жабыны
Қазіргі үшінші буындағы жартылай өткізгіштер негізінен кремний карбидіне негізделген, субстраттар құрылғы құнының 47% құрайды, ал эпитаксия 23% құрайды, шамамен 70% және SiC құрылғыларын өндіру өнеркәсібінің ең маңызды бөлігін құрайды.
Ары қарай оқу
SiC және GaN қуат құрылғыларында ионды имплантациялау технологиясының қиындықтары
Кремний карбиді (SiC) және галий нитриді (GaN) сияқты кең диапазонды жартылай өткізгіштер (WBG) қуатты электронды құрылғыларда маңызды рөл атқарады деп күтілуде. Олар дәстүрлі кремний (Si) құрылғыларына қарағанда жоғары тиімділікті, қуат тығыздығын және ауысу жиілігін қоса алғанда, бірнеше артықшылы......
Ары қарай оқу
