Жаңалықтар

TSMC: келесі жылы 2 нм технологиялық тәуекелді сынақ өндірісі

Жаңадан жарияланған жылдық есебінде TSMC төрағасы Дейин Лю және бас директор Чие-Цзя Вэй 2 нм процесіне қатысты прогресті ашты.

Эпитаксиалды қабаттар үшін қолдану сценарийлері

Біз құрылғыны жасау үшін кейбір пластиналар субстраттарының үстіне, әдетте кремний субстраттарының үстіне GaAs эпитаксиалды қабаттарын қажет ететін жарықдиодты жарық шығаратын құрылғылардың үстіне одан әрі эпитаксиалды қабаттарды салу қажет екенін білеміз; SiC эпитаксиалды қабаттары жоғары вольтты, ......

CVD пешін талқылау

Қытай жартылай өткізгіш жабдықтардың ең ірі нарығы болып қала берді

Жартылай өткізгішті шығаратын жабдықтың дүниежүзілік сатылымы 2021 жылғы 102,6 миллиард доллардан 5 пайызға артып, өткен жылы 107,6 миллиард долларды құраған рекордтық көрсеткішке жетті. SEMI, электроника дизайны мен өндірісінің жаһандық жеткізу тізбегін білдіретін салалық қауымдастық.

SiC пластинаның эпитаксисі үшін CVD процесі

SiC пластинкасының эпитаксисі үшін CVD процесі газ фазалық реакция арқылы SiC қабықшаларының SiC субстратына тұндыруын қамтиды. SiC прекурсорлық газдары, әдетте метилрихлоросилан (MTS) және этилен (C2H4) реакциялық камераға енгізіледі, онда SiC субстраты жоғары температураға дейін (әдетте 1400 және ......

Жақында Жапония жартылай өткізгіштерді шығаратын жабдықтың 23 түрін экспорттауды шектеді

Жақында Жапония жартылай өткізгіштерді шығаратын жабдықтың 23 түрін экспорттауды шектеді. Бұл хабарландыру бүкіл салада толқындар жіберді, өйткені бұл қадам жартылай өткізгіштерді өндіруге арналған жаһандық жеткізу тізбегіне айтарлықтай әсер етеді деп күтілуде.